STP120NF04
N沟道40V - 0.0047Ω - 120A TO- 220
的STripFET II MOSFET
一般特点
TYPE
STP120NF04
■
■
V
DSS
40V
R
DS （ ON）
<0.0050
I
D
120A
Pw
300W
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
3
1
2
描述
这是MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
TO-220
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP120NF04
记号
P120NF04
包
TO-220
包装
管
2006年10月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STP120NF04
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
电气特性
STP120NF04
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 50 A
2.8
分钟。
40
1
10
±100
4.5
0.0047 0.0050
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 50A
分钟。
典型值。
150
5100
1300
160
35
220
80
50
110
35
35
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20 V，I
D
= 60 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
V
DD
= 20 V，I
D
= 60 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
V
DD
= 32V ，我
D
= 120A
V
GS
=10V
（参见图19）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STP120NF04
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
=120A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图20）
75
185
5
测试条件
民
典型值。
最大
120
480
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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