STP11NM60 - STP11NM60FP
STB11NM60 - STB11NM60-1
N沟道650V @ T
JMAX
- 0.4Ω - 11A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
的MDmesh 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP11NM60
STP11NM60FP
STB11NM60
STB11NM60-1
■
■
■
■
V
DSS
(@T
J
=T
JMAX
)
650V
650V
650V
650V
R
DS （ ON）
<0.45
<0.45
<0.45
<0.45
I
D
3
11A
11A
11A
11A
TO-220
1
2
3
1
2
TO-220FP
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
1
3
3
12
D
2
PAK
i
2
PAK
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏
过程与本公司的PowerMESH
横向布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用该公司专有的条
技术导致了整体的动力性能
这是比类似显著更好
竞争的产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB11NM60T4
STB11NM60-1
STP11NM60
STP11NM60FP
记号
B11NM60
B11NM60-1
P11NM60
P11NM60FP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2007年1月
REV 6
1/16
www.st.com
16
目录
STP11NM60-STP11NM60FP-STB11NM60-STB11NM60-1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STP11NM60-STP11NM60FP-STB11NM60-STB11NM60-1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 / DPAK / IPAK TO- 220FP
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
-65到150
150
11
7
44
160
1.28
15
2500
±30
11
(1)
7
(1)
44
(1)
35
0.28
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
如图11A所示， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
.
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热数据
价值
参数
TO-220/DPAK/IPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
单位
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
5.5
350
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STP11NM60-STP11NM60FP-STB11NM60-STB11NM60-1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
= 600 V
V
DS
= 600 V ，TC = 125°C
V
GS
= ±30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A
3
4
0.4
分钟。
600
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
5
0.45
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(2)
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 5.5A
分钟。
典型值。
5.2
1000
230
25
100
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 480V ，我
D
= 11A
V
GS
=10V
（参见图15）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1.6
30
10
15
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
4/16
STP11NM60-STP11NM60FP-STB11NM60-STB11NM60-1
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
=5.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图17）
V
DD
= 480V ，我
D
=11A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
20
20
6
11
19
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11A ，V
GS
=0
I
SD
=11A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 25°C
（参见图16）
I
SD
=11A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 150℃
（参见图16）
390
3.8
19.5
测试条件
民
典型值。
最大
11
44
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
570
5.7
20
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/16
STP11NM60 - STP11NM60FP
STB11NM60 - STB11NM60-1
N沟道600V - 0.4Ω -11A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STP11NM60
STP11NM60FP
STB11NM60
STB11NM60-1
V
DSS
600 V
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
I
D
11 A
11 A
11 A
11 A
1
2
3
1
3
2
典型
DS
（上） = 0.4Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
即对同类竞争产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高压变频器允许的功率密度
系统的小型化和更高的效率。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv/dt(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
2003年5月
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
3
12
I
2
PAK
内部原理图
价值
STP(B)11NM60(-1)
600
600
±30
11
7
44
160
1.28
15
--
-65到150
150
（*）限定仅由最大允许温度
(1)I
SD
<11A ，二/ dt<400A / μs的，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
J
＆ LT ;吨
JMAX
单位
STP11NM60FP
V
V
V
11 (*)
7 (*)
44 (*)
35
0.28
2500
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
1/12
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
STP11NM60 / STP11NM60FP / STB11NM60 / STB11NM60-1
热数据
TO-220/D
2
PAK / I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
5.5
350
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
分钟。
600
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A
分钟。
3
典型值。
4
0.4
马克斯。
5
0.45
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 5.5A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5.2
1000
230
25
100
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
2/12
STP11NM60 / STP11NM60FP / STB11NM60 / STB11NM60-1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 5.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
20
30
10
15
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400V ，我
D
= 11A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
6
11
19
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11A ，V
GS
= 0
I
SD
= 11A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 11A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
390
3.8
19.5
570
5.7
20
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
11
44
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
3/12
STP11NM60 / STP11NM60FP / STB11NM60 / STB11NM60-1
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/12
STP11NM60 / STP11NM60FP / STB11NM60 / STB11NM60-1
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/12
QQ：2881677436 复制
