STP11NK50Z - STP11NK50ZFP
STB11NK50Z
N沟道500V - 0.48Ω - 10A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STB11NK50Z
STP11NK50Z
STP11NK50ZFP
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
< 0.52
< 0.52
< 0.52
I
D
10 A
10 A
10 A
Pw
125 W
125 W
30 W
3
1
2
s
典型
DS
（上） = 0.48
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带&
REEL （D
2
PAK版）
TO-220
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STB11NK50ZT4
STP11NK50Z
STP11NK50ZFP
记号
B11NK50Z
P11NK50Z
P11NK50ZFP
包
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
2003年6月
1/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
VISO
T
j
T
英镑
参数
TO- 220 / D
2
PAK
价值
TO-220FP
单位
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
10
6.3
40
125
1
500
500
± 30
10(*)
6.3(*)
40(*)
30
0.24
4000
4.5
2500
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO- 220 / D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
190
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5 A
3
3.75
0.48
分钟。
500
1
50
±10
4.5
0.52
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=15V
,
I
D
= 5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
7.7
1390
173
42
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11.4 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
14.5
18
49
10
25
68
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11.4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
41
15
11.5
12
27
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
= 0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 36V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
308
2.4
16
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
安全工作区TO-220 / D2PAK
安全工作区TO- 220FP
对于TO- 220 / D2PAK热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP
STB11NK50Z
N沟道500V - 0.48Ω - 10A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STB11NK50Z
STP11NK50Z
STP11NK50ZFP
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
< 0.52
< 0.52
< 0.52
I
D
10 A
10 A
10 A
Pw
125 W
125 W
30 W
3
1
2
s
典型
DS
（上） = 0.48
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带&
REEL （D
2
PAK版）
TO-220
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STB11NK50ZT4
STP11NK50Z
STP11NK50ZFP
记号
B11NK50Z
P11NK50Z
P11NK50ZFP
包
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
2003年6月
1/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
VISO
T
j
T
英镑
参数
TO- 220 / D
2
PAK
价值
TO-220FP
单位
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
10
6.3
40
125
1
500
500
± 30
10(*)
6.3(*)
40(*)
30
0.24
4000
4.5
2500
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO- 220 / D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
190
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5 A
3
3.75
0.48
分钟。
500
1
50
±10
4.5
0.52
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=15V
,
I
D
= 5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
7.7
1390
173
42
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11.4 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
14.5
18
49
10
25
68
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11.4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
41
15
11.5
12
27
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
= 0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 36V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
308
2.4
16
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
安全工作区TO-220 / D2PAK
安全工作区TO- 220FP
对于TO- 220 / D2PAK热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/12
STP11NK50Z - STP11NK50ZFP - STB11NK50Z
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
QQ：2880707522 复制
