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STP10NC50
STP10NC50FP
N - CHANNEL 500V - 0.48Ω - 10A - TO- 220 / TO- 220FP
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
ST P10NC50
ST P10NC50FP
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
R
DS （ ON）
< 0.52
< 0.52
I
D
10 A
10 A
典型
DS （ ON）
= 0.48
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
1
3
2
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
单位面积最低的RDS（on ） ，特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结牛逼emperature
o
o
TO-220
TO-220FP
内部原理图
价值
ST P10NC50
STP10NC50F P
500
500
±
30
10
6.3
40
135
1.08
3
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤100
A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
10(*)
6.3(*)
40
40
0.32
3
2000
A
A
A
W
W / C
V / ns的
V
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(
*
）只允许最高温度的限制
1999年11月
1/7
STP10NC50 STP10NC50FP
热数据
TO-220
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
0.93
62.5
0.5
300
TO-220FP
3.12
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大VALU ê
10
550
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
500
1
50
±
100
牛逼YP 。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零加速度吃的电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 5 A
10
分钟。
2
牛逼YP 。
3
0.48
马克斯。
4
0.52
单位
V
A
静态漏源0：N V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让（BOT）
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=5 A
V
GS
= 0
分钟。
牛逼YP 。
10
1480
210
25
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/7
STP10NC50 STP10NC50FP
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 250 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 160 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
29
16
41
12
19
49
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 160 V I
D
= 10 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
16
18
29
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=10 A
V
GS
= 0
560
4.9
17.5
I
SD
= 10 A的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 50 V
测试刀豆ditions
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
10.6
42.4
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
3/7
STP10NC50 STP10NC50FP
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路，用于
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/7
STP10NC50 STP10NC50FP
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
E
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
分钟。
0.173
0.048
0.094
4.40
1.23
2.40
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D1
L2
F1
D
G1
DIA 。
F2
F
L5
L7
L6
L9
L4
G
H2
P011C
5/7
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