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STP10NB50
STP10NB50FP
N - CHANNEL 500V - 0.55Ω - 10.6A - TO- 220 / TO- 220FP
的PowerMESH MOSFET
TYPE
ST P10NB50
ST P10NB50FP
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
R
DS （ ON）
< 0.60
< 0.60
I
D
10.6 A
10.6 A
典型
DS （ ON）
= 0.55
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
1
3
2
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
单位面积最低的RDS（on ） ，特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结牛逼emperature
o
o
TO-220
TO-220FP
内部原理图
价值
ST P10NB50
STP10NB50F P
500
500
±
30
10.6
6.4
42.4
135
1.08
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤
10.6 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
10.6(*)
6.4(*)
42.4
40
0.32
4.5
2000
A
A
A
W
W / C
V / ns的
V
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(
*
）只允许最高温度的限制
1999年10月
1/9
STP10NB50 STP10NB50FP
热数据
TO-220
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
0.93
62.5
0.5
300
TO-220FP
3.12
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大VALU ê
10.6
550
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
500
1
50
±
100
牛逼YP 。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零加速度吃的电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 5.3 A
10.6
分钟。
3
牛逼YP 。
4
0.55
马克斯。
5
0.60
单位
V
A
静态漏源0：N V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让（BOT）
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=5.3 A
V
GS
= 0
分钟。
5
牛逼YP 。
8
1480
210
25
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP10NB50 STP10NB50FP
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 250 V I
D
= 5.3 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 160 V
I
D
= 10 A V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
25
13
38
10
17
马克斯。
14
20
49
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 160 V I
D
= 10 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
牛逼YP 。
13
15
25
马克斯。
11
14
28
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=10.6 A
V
GS
= 0
560
4.9
17.5
I
SD
= 10.6的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 50 V
（见测试电路，图5 ）
测试刀豆ditions
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
10.6
42.4
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP10NB50 STP10NB50FP
对于TO- 220热阻抗
对于TO- 220FP热阻抗
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STP10NB50 STP10NB50FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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