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STN9926AA
双N沟道增强型MOSFET
6.0A
描述
该STN9926AA是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管都采用高密度， DMOS沟槽技术生产。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用中，笔记本电脑
锂离子电池
，电源管理和其它电池供电的电路，其中的高侧
切换。
引脚配置
SOP-8
特征
20V / 6.0A ，R
DS （ ON）
= 30mΩ
@VGS = 4.5V
20V / 5.0A ，R
DS （ ON）
= 42mΩ
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
订购信息
产品型号
STN9926AAS8RG
STN9926AAS8TG
包
SOP-8
SOP-8
最热
STN9926
STN9926
※
过程代码： AZ ; AZ
※
STN9926AAS8RG S8 ： SOP- 8 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
※
STN9926AAS8TG S8 ： SOP- 8 ; T：管; G：铅 - 免费
1
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www.stansontech.com
2007 ， Stanson公司
STN9926AA 2007 V1
STN9926AA
双N沟道增强型MOSFET
6.0A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(TJ=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流
（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±
12
6.0
5.0
30
1.6
2.8
1.8
-55/150
-55/150
105
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2
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STN9926AA 2007 V1
STN9926AA
双N沟道增强型MOSFET
6.0A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
转发TRAN导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向TransferCapacitance
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小典型最大单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
T
J
=55
℃
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
= 250微安
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
≦5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=
4.5V ，我
D
=6.0A
V
GS
=2
1.5V左右，我
D
=5.0A
V
DS
=5.0V,I
D
=3.6A
I
S
=1.7A,V
GS
=0V
20
0.6
1.2
±
100
1
5
6
0.024 0.030
0.032 0.042
V
V
nA
uA
A
Ω
S
1.2
V
g
fs
V
SD
10
0.8
Q
g
Q
gs
Q
gd
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V
I
D
6.0A
2.0
2.5
2.1
565
nC
VDS=8.0V,VGS=0V
f=1MHz
84
22
10
14
20
40
10
pF
t
D（关闭）
tf
V
DD
=10V,R
L
=6
Ω
I
D
=1A,V
根
=4.5V
R
G
=6
Ω
16
33
3
nS
3
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STN9926AA 2007 V1
STN9926AA
双N沟道增强型MOSFET
6.0A
典型CHARACTERICTICS
（ 25 ℃除非注）
4
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典型CHARACTERICTICS
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SN74AHC1G00DCKRG4
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SM5024AL1H
SST29LE010-250-3C-W
SHD114511B
STR-G8656
SPX1117T-3.0/TR
SST34HF1682S-70-4C-B1PE
S72WS256PE0KF01H0
供货商
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厂家
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封装
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