双N沟道增强型MOSFET
STN8205D
5.0A
描述
STN8205D是双N沟道增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中，高侧开关是必需的。
引脚配置
TSOP-6
G1
D
G2
特征
20V / 4.0A ，R
DS （ ON）
= 30米欧姆@ V
GS
=4.5V
20V / 3.4A ，R
DS （ ON）
=42m-ohm@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极
低R
DS （ ON）
呈低导通电阻和最大
DC电流能力
TSOP - 6封装设计
STN8205
SYA
S1
D
S2
S：分包商
Y：年
答：周码
订购信息
产品型号
STN8205DST6RG
包
TSOP-6
最热
SYA
※
本周代码代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
ST8205DST6RG
ST6 ： TSOP - 6 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
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STN8205D 2007 V1
双N沟道增强型MOSFET
STN8205D
5.0A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
典型
20
+/-20
5.0
3.4
I
DM
I
S
P
D
20
2
1.15
0.75
T
J
T
英镑
R
θJA
150
-55/150
100
℃
℃
℃
/W
A
A
W
单位
V
V
A
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
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电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
V
DS
=8V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
= 10V ， RL = 10Ω ，我
D
=4.0A,
V
根
= 4.5V ， RG = 6Ω
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,V
DS
=2.8A
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=+/-20V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≦5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=4.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.4A
V
DS
=5V,I
D
=3.6A
I
S
=1.6A,V
GS
=0V
5
0.025 0.030
0.037 0.042
13
0.8
10.5
2.0
2.5
805
155
122
18
5
45
22
pF
nC
1.2
20
0.6
1.2
±100
1
5
V
V
nA
uA
A
Ω
S
V
符号
条件
民
典型值
最大单位
nS
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STN8205D 2007 V1
双N沟道增强型MOSFET
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典型CHARACTERICTICS
典型CHARACTERICTICS
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