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双N沟道增强型MOSFET
STN8205AA
6.0A
描述
STN8205AA是双N沟道增强型功率场效应晶体管
这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中，高侧开关是必需的。
引脚配置
TSSOP-8
D2
8
S2
7
S2
6
G2
5
特征
20V / 6.0A ，R
DS （ ON）
= 30米欧姆@ V
GS
=4.5V
20V / 5.0A ，R
DS （ ON）
=42m-ohm@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极
低R
DS （ ON）
呈低导通电阻和最大
DC电流能力
TSSOP - 8封装设计
STN8205AA
SYA
1
D1
2
S1
3
S1
4
G1
S：分包商
Y：年
答：周码
订购信息
产品型号
STN8205AAST8RG
包
TSSOP-8
最热
SYA
※
本周代码代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
ST8205AAST8RG
ST8 ： TSSOP - 8 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
http://www.stansontech.com
STN8205AA 2007 V1
双N沟道增强型MOSFET
STN8205AA
6.0A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25 ℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
I
DM
I
S
P
D
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
典型
20
+/-20
6.0
3.4
30
2
2.0
1.2
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
J
T
英镑
R
θJA
-40/140
-55/150
105
℃
℃
℃
/W
A
A
W
单位
V
V
A
STANSON科技
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STN8205AA 2007 V1
双N沟道增强型MOSFET
STN8205AA
6.0A
电气特性
（ TA = 25 ° ，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
V
DS
=8V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
= 10V ， RL = 10Ω ，我
D
=1.0A,
V
根
= 4.5V ， RG = 10Ω
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,V
DS
=4A
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=+/-20V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≦5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=6.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=5.0A
V
DS
=5V,I
D
=3.6A
I
S
=1.7A,V
GS
=0V
6
0.024 0.030
0.032 0.042
10
0.8
10.5
2.5
2.1
805
155
122
14
6
45
20
pF
nC
1.2
20
0.6
1.2
±100
1
5
V
V
nA
uA
A
S
V
符号
条件
民
典型值
最大单位
nS
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
http://www.stansontech.com
STN8205AA 2007 V1
双N沟道增强型MOSFET
STN8205AA
6.0A
典型CHARACTERICTICS
STANSON科技
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STN8205AA 2007 V1
双N沟道增强型MOSFET
STN8205AA
6.0A
典型CHARACTERICTICS
STANSON科技
120宾利广场，加州山景城94040 USA
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STN8205AA 2007 V1
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SW2520R47JL
S87C196KC
SN65C1167_07
SPB-002
SX1509QBIULTRT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    STN8205AAST8RG
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TSSOP-8
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联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
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TSSOP8
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话：075582788161
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