STN4NF03L
N沟道30V - 0.039Ω - 6.5A - SOT- 223
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STN4NF03L
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.05
I
D
6.5A
2
低阈值DRIVE
1
SOT-223
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STN4NF03L
记号
N4NF03L
包
SOT-223
包装
磁带&卷轴
2006年10月
转4
1/12
www.st.com
12
目录
STN4NF03L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
电气特性
STN4NF03L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 5V ，我
D
= 2A
1
0.039
0.046
0.05
0.06
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=10V
,
I
D
=1A
分钟。
3
典型值。
6
330
90
40
6.5
3.2
2
9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 24V ，我
D
= 4A
V
GS
=10V
（参见图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
=2A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图14）
V
DD
= 15 V，I
D
=2A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图14）
分钟。
典型值。
11
100
马克斯。
单位
ns
ns
t
D（关闭）
t
f
关断延迟时间
下降时间
35
22
ns
ns
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STN4NF03L
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6.5A ，V
GS
=0
I
SD
=6.5 A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15 V ， TJ = 150℃
（参见图14）
34
25
1.4
测试条件
民
典型值。
最大
6.5
26
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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