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STN4972
双N沟道增强型MOSFET
8.5A
描述
STN4972是双N沟道逻辑增强型功率场效应
它使用的是高密度DMOS生产的晶体管沟道技术。这是
适用于便携式或电池供电的电源管理应用
系统。
引脚配置
SOP-8
特征
30V / 8.5A ,R
DS ( ON)
= 14mΩ @ VGS = 10V
30V / 7.8A ,R
DS ( ON)
= 18MΩ @ VGS = 4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOP- 8封装设计
最热
SOP-8
订购信息
产品型号
STN4972S8RG
STN4972S8TG
SOP-8
SOP-8
最热
STN4972
STN4972
过程代码: AZ ; AZ
STN9972S8RG S8 : SOP- 8 ; R:带卷轴; G:铅 - 免费
STN9972S8TG S8 : SOP- 8 ; T:管; G:铅 - 免费
STANSON科技
120宾利广场,加州山景城94040 USA
www.stansontech.com
2007 , Stanson公司
STN4972 2008 V1
STN4972
双N沟道增强型MOSFET
8.5A
ABSOULTE最大额定值
( TA = 25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(TJ=150
)
漏电流脉冲
连续源电流
(二极管传导)
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
T
A
=25℃
T
A
=70
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±
20
8.5
7.5
25
2.3
2.5
1.6
-55/150
-55/150
80
单位
V
V
A
A
A
W
/W
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STN4972 2008 V1
STN4972
双N沟道增强型MOSFET
8.5A
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
转发TRAN导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向TransferCapacitance
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小典型最大单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
T
J
=55
I
D(上)
R
DS ( ON)
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
= 250微安
V
DS
=0V,V
GS
=
±
20V
V
DS
=24V
GS
=0V
V
DS
=24V
GS
=0V
V
DS
≥5V,V
GS
=10
V
GS
=
10V ,我
D
=8.5A
V
GS
=4
1.5V左右,我
D
=7.8A
V
DS
=15.0V,I
D
=6.2A
I
S
=2.3A,V
GS
=0V
30
1.0
3.0
±
100
1
5
25
0.012 0.014
0.015 0.018
V
V
nA
uA
A
Ω
S
1.2
V
g
fs
V
SD
13
0.8
Q
g
Q
gs
Q
gd
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
tr
V
DS
=15V,V
GS
=10V
I
D
=2A
16
4.2
2.5
1350
nC
VDS=15.0V,VGS=0V
f=1MHz
258
150
15
20
16
40
20
pF
t
D(关闭)
tf
V
DD
=15V,R
L
=15
Ω
I
D
=5A,V
=10V
R
G
=1
Ω
6
20
12
nS
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STN4972 2008 V1
STN4972
双N沟道增强型MOSFET
8.5A
典型CHARACTERICTICS
( 25 ℃除非注)
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8.5A
典型CHARACTERICTICS
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    STN4972
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STN4972
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