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STN4920

双N沟道增强型MOSFET

7.2A

描述

STN4920是双N沟道逻辑增强型功率场效应

它使用的是高密度DMOS生产的晶体管沟道技术。这是

适用于便携式或电池供电的电源管理应用

系统。

引脚配置

SOP-8

特征

30V / 7.2A ，R

DS （ ON）

= 28mΩ @ VGS = 10V

30V / 6.0A ，R

DS （ ON）

= 36mΩ @ VGS = 4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOP- 8封装设计

最热

SOP-8

订购信息

产品型号

STN4920S8RG

STN4920S8TG

包

SOP-8

最热

STN4920

※

过程代码： AZ ; AZ

※

STN4920S8RG S8 ： SOP- 8 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费

※

STN4920S8TG S8 ： SOP- 8 ; T：管; G：铅 - 免费

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2007 ， Stanson公司

STN4920 2007 V1

STN4920

双N沟道增强型MOSFET

7.2A

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

(TJ=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流

（二极管传导）

功耗

工作结温

Storgae温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70

℃

=25℃

=70

℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

7.2

6.0

1.7

2.8

1.8

-55/150

单位

℃

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双N沟道增强型MOSFET

7.2A

电气特性

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅压漏

当前

通态漏电流

漏源导通电阻

转发TRAN导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向TransferCapacitance

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

最小值典型值

最大单位

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

=55

℃

D（上）

DS （ ON）

=0V,I

=250uA

= 250微安

=0V,V

20V

=30V,V

=0V

=30V,V

=0V

≥5V,V

=4.5V

10V ，我

=7.2A

1.5V左右，我

=6.0A

=15.0V,I

=6.2A

=2.3A,V

=0V

1.0

3.0

100

0.022 0.028

0.030 0.036

1.2

0.8

西塞

科斯

CRSS

D（上）

=15V,V

=10V

=7.2A

7.5

3.5

450

VDS=15.0V,VGS=0V

f=1MHz

240

D（关闭）

=15V,R

=15

=1A,V

根

=10V

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双N沟道增强型MOSFET

7.2A

典型CHARACTERICTICS

（ 25 ℃除非注）

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双N沟道增强型MOSFET

7.2A

典型CHARACTERICTICS

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SOP-8P

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SOP8

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SOP-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

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