【STN4526N沟道增强型MOSFET10.0A描述STN4526是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管】,IC型号STN4526,STN4526 PDF资料,STN4526经销商,ic,电子元器件-51电子网

STN4526

N沟道增强型MOSFET

10.0A

描述

STN4526是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，其

采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度

过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是

特别适用于低电压应用，例如电源管理和其它

电池供电的电路，其中的高侧开关。

引脚配置

SOP-8

特征

40V / 10.0A ，R

DS （ ON）

= 25米（典型值）。

= 10V

40V / 8.0A ，R

DS （ ON）

= 31m

= 4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOP- 8封装设计

最热

Y：年份代码A ：过程代码

订购信息

产品型号

STN4526

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过程代码： AZ ; AZ

包

SOP-8P

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N沟道增强型MOSFET

10.0A

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

(TJ=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

Storgae温度范围

热阻，结到环境

TA=25℃

TA=70

℃

TA=25℃

TA=70

℃

符号

VDSS

VGSS

典型

±20

10.0

8.0

2.3

2.5

1.6

150

-55/150

单位

℃

IDM

TSTG

RΘJA

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10.0A

电气特性

（ TA = 25 ° ，除非另有说明）

参数

符号

条件

民

典型值

最大

单位

STATIC

漏源

击穿电压

栅极阈值

电压

栅极漏电流

零栅极电压

漏电流

漏源开 -

阻力

前锋

跨

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向

TransferCapacitance

开启时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=20V,VGS=0V

F=1MHz

=20V,V

=4.5

≡5A

2.8

3.2

850

110

=20V,R

= 4

=5.0A,V

根

=10V

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

=0V,ID=250uA

,ID=250uA

=0V,V

=±20V

=40V,V

=0V

DSS

=40V,V

=0V

=85℃

=10V,I

=10A

=4.5V,I

=8A

=15V,I

=6.2AV

=2.3A,V

=0V

0.8

1.2

1.0

3.0

±100

DS （ ON）

政府飞行服务队

打开-O FF时间

典型CHARACTERICTICS

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