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STN4440

N沟道增强型MOSFET

5.0A

描述

STN4440是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度

过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是

特别适用于低电压应用，例如电源管理和其它

电池供电的电路，其中的高侧开关。

引脚配置

SOP-8

特征

60V / 10.0A ，R

DS （ ON）

= 50mΩ以下（典型值）。

= 10V

60V / 8.0A ，R

DS （ ON）

= 70mΩ

= 4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

出色的导通电阻和

最大直流电流能力

SOP- 8封装设计

最热

Y：年份代码A ：过程代码

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STN4440

N沟道增强型MOSFET

5.0A

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25 ℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（ TJ = 150 ℃ ）

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

Storgae温度范围

热阻，结到环境

TA=25℃

TA=70℃

TA=25℃

TA=70℃

符号

VDSS

VGSS

典型

±20

5.0

4.0

2.5

1.6

150

-55/150

单位

℃

℃/W

IDM

TSTG

RΘJA

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N沟道增强型MOSFET

5.0A

电气特性

（ TA = 25 ° ，除非另有说明）

参数

符号

条件

民

典型值

最大

单位

STATIC

漏源

击穿电压

栅极阈值

电压

栅极漏电流

零栅极电压

漏电流

导通状态漏极

当前

漏源开 -

阻力

前锋

跨

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向

TransferCapacitance

开启时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=10V,R

= 6Ω

=30V,R

=3Ω

==30V,VGS=0V

F=1MHz

=30V,V

=10V

≡5A

1.6

2.2

450

5.1

2.6

2.5

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

=0V,ID=250uA

,ID=250uA

=0V,V

=±20V

=48V,V

=0V

DSS

=48V,V

=0V

=5℃

≧5V,V

=10V

=10V,I

=10A

DS （ ON）

=4.5V,I

=8A

政府飞行服务队

=5V,I

=6.2AV

=1A,V

=0V

0.8

1.2

1.0

3.0

±100

D（上）

mΩ

打开-O FF时间

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典型CHARACTERICTICS

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