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STN2N10L
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
高级数据
TYPE
STN2N10L
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.5
I
D
CONT
2A
s
s
s
典型
DS ( ON)
= 0.35
雪崩坚固的技术
SOT- 223 CAN BE波或回流
焊接
可用磁带和卷轴开启
请求
150
o
C的工作温度
面向应用
表征
2
1
SOT-223
2
3
应用
s
硬盘驱动器
s
小马达电流检测
电路
s
DC- DC转换器与电源
耗材
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
(*)
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
100
100
±
15
2
1.3
8
2.7
0.022
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区( * )由封装有限公司
1996年3月
1/5
STN2N10L
热数据
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热阻结PC板
最大
热阻结到环境
最大
(表面贴装)
最大无铅焊接温度的目的
46
60
260
o
o
C / W
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
E
AR
I
AR
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
重复性雪崩能量
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
雪崩电流,重复或不重复
(T
c
= 100
o
C,脉冲宽度为T的限制
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
最大值
2
20
5
1.3
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
100
250
1000
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
15 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 5 V
V
GS
= 5 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
T
c
= 100 C
2
o
分钟。
1
典型值。
1.8
0.35
马克斯。
2.5
0.5
1
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 1 A
V
GS
= 0 V
分钟。
1
典型值。
2.5
340
65
20
450
100
30
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STN2N10L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 80 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 80 V
I
D
= 4 A
V
GS
= 5 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 5 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
6
20
380
10
6
3
15
马克斯。
10
30
单位
ns
ns
A / μs的
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 80 V
R
G
= 4.7
I
D
= 8 A
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
10
10
20
马克斯。
15
15
30
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 2 A
V
GS
= 0
90
0.27
6
I
SD
= 8 A
的di / dt = 100 A / μs的
o
V
DD
= 30 V
T
j
= 150 C
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2
8
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STN2N10L
SOT223机械数据
mm
分钟。
a
b
c
d
e1
e4
f
g
l1
l2
L
2.9
0.67
6.7
3.5
6.3
3
0.7
7
3.5
6.5
2.27
4.57
0.2
0.63
1.5
典型值。
2.3
4.6
0.4
0.65
1.6
马克斯。
2.33
4.63
0.6
0.67
1.7
0.32
3.1
0.73
7.3
3.7
6.7
114.2
26.4
263.8
137.8
248
118.1
27.6
275.6
137.8
255.9
分钟。
89.4
179.9
7.9
24.8
59.1
密尔
典型值。
90.6
181.1
15.7
25.6
63
马克斯。
91.7
182.3
23.6
26.4
66.9
12.6
122.1
28.7
287.4
145.7
263.8
DIM 。
L
l2
e1
a
b
f
d
c
e4
C
l1
B
C
E
g
P008B
4/5
STN2N10L
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联系人:许先生
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STN2N10L
ST
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SOT-223
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ST
21+
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SOT-223
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ST/意法
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20918
SOT223
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ST/意法
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SOT-223
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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SOT223
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STN2N10L
ST/意法
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SOT223
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2000
SOT223
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STN2N10L
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QFP
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STM
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