STN2N10L
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
高级数据
TYPE
STN2N10L
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.5
I
D
CONT
2A
s
s
s
典型
DS ( ON)
= 0.35
雪崩坚固的技术
SOT- 223 CAN BE波或回流
焊接
可用磁带和卷轴开启
请求
150
o
C的工作温度
面向应用
表征
2
1
SOT-223
2
3
应用
s
硬盘驱动器
s
小马达电流检测
电路
s
DC- DC转换器与电源
耗材
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
(*)
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
100
100
±
15
2
1.3
8
2.7
0.022
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区( * )由封装有限公司
1996年3月
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STN2N10L
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