STN1HNC60
N沟道600V - 7Ω - 0.4A - SOT- 223
的PowerMESH II MOSFET
TYPE
STN1HNC60
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS ( ON)
<8
I
D
0.4 A
典型
DS
(上) = 7Ω
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
2
1
SOT-223
2
3
描述
的的PowerMESH
II是第一的演变
代MESH叠加
.
在重新布局
finements引入大大提高了罗恩*区
品质因数,同时保持设备的铅
荷兰国际集团边缘的东西涉及具有结构转换的速度,门
充电和耐用性。
应用
AC转接器和电池充电器
s
SWITH模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备
s
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
dv / dt的
T
英镑
T
j
2001年5月
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
600
±30
0.4
0.25
1.6
2.5
0.02
3.5
-65到150
150
(1)I
SD
≤0.4A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
1/8
( )脉冲宽度有限的安全工作区
STN1HNC60
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300V ,我
D
= 0.7A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 480V ,我
D
= 1.4A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
8
8
8.5
2.8
2.8
11.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480V ,我
D
= 1.4A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
25
9
34
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 0.4 A,V
GS
= 0
I
SD
= 1.4A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 100V , TJ = 150℃
(见测试电路,图5 )
500
950
3.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
1.6
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8