【S T M9930AS amHop微电子 ORP 。12月20日， 2005年2N和2P信道E nh】,IC型号STM9930A,STM9930A PDF资料,STM9930A经销商,ic,电子元器件-51电子网

S T M9930A

S amHop微电子 ORP 。

12月20日， 2005年

2N和2P信道E nhancement模式域E ffect晶体管

P ODUC牛逼S UMMAR

（ N-C hannel ）

DS S

30V

P ODUC牛逼S UMMAR

（P - C hannel ）

DS S

-30V

DS （ ON）（M

)

最大

-5.3A

DS （ ON）（M

)

最大

35 @ V

的s

= 10V

54 @ V

的s

= 4.5V

P1S

53 @ V

的s

= -10V

75 @ V

的s

= -4.5V

P2S

P2G

N2D/P2D

P1S/P2S

P1G

N2G

N1S/N2S

N1D/P1D

N1G

P1G

P1N1D

P2N2D

S 0 - 8

N1G

N1S

N2S

N2G

ABS OLUTE最大R ATINGS （T

= 25°C除非另有说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous @助教

-P ulsed

S ymbol

25 C

70 C

, T

s TG

N-C hannel P-C hannel

1.7

1.44

-55到150

-30

-5.3

-3.5

-20

-1.7

单位

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

最大P奥尔耗散

TA = 25℃

TA = 70℃

工作结点和S torage

温度法兰

第r MAL HAR AC TE R是TIC S

热 esistance ，结到环境

62.5

C / W

S T M9930A

N沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 24V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

= 5A

= 4.5V ，我

= 3A

= 5V, V

= 4.5V

= 10V ，我

= 5A

最小值典型值

最大单位

100 nA的

1.5

550

130

2.3

6.6

1.4

3.8

兆欧

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

栅极电阻

为s

OS s

RSS

=25V, V

= 0V

F = 1.0MH

=0V, V

= 0V ， F = 1.0MH

= 15V

= 1 A

= 10V

= 6欧姆

= 15V ，我

=5A,V

=10V

= 15V ，我

=5A,V

=4.5V

欧姆

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= 15V ，我

= 5 A

=10V

S T M9930A

P沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -24V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

= -5A

= -4.5V ，我

= -3A

= -5V, V

= -10V

= -10V ，我

= -5A

最小值典型值

最大单位

-30

-1

100 nA的

-1

-1.5

-20

650

170

100

2.2

6.6

1.2

4.3

-3

兆欧

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

栅极电阻

为s

OS s

RSS

=-25V, V

= 0V

F = 1.0MH

=0V, V

= 0V ， F = 1.0MH

= -15V

= -1A

= -10V

= 6欧姆

= -15V ，我

=-5A,V

=-10V

= -15V ，我

=-5A,V

=-4.5V

欧姆

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -15V ，我

= -5 A

=-10V

S T M9930A

电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= 1.7A

= 0V ，是= -1.7A

N沟道

P沟道

最小典型最大单位

0.82

-0.8

1.2

-1.2

漏源二极管的特性

笔记

a.Surface安装在FR4板，T

＜

10sec.

b.Pulse测试：脉冲宽度

＜

300μS ，占空比

＜

2%.

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

N沟道

V G S = 10V

V G S = 4.5V

V G S = 4V

，排水光凭目前（A ）

125 C

V G S = 3V

V G S = 2.5V

25 C

-55 C

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

4.8

0.5

1.5

2.5

，漏到-S环境允许的电压（V ）

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

F igure 1输出C haracteris抽动

F igure 2.跨FER haracteris抽动

1.5

DS （ ON）

，在-R es是tance

归

的s

=4.5V

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

的s

=4.5V

=3A

DS （ ON）

)

的s

=10V

=5A

的s

=10V

100

125

150

T J （ C）

，排水光凭目前（A ）

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前

和G吃了V oltage

F igure 4.在-R es是tance与变化

排水光凭目前与温度

S T M9930A

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

100 125

的s

=250uA

B V

DS S

归一化

漏-S环境允许B reakdown V oltage

V th时，归一化

摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

=250uA

75 100 125

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation

以T emperature

100

F igure 6. B reakdown V oltage V ariation

以T emperature

20.0

=5A

是，S环境允许的漏电流（ A）

DS （ ON）

)

125 C

75 C

25 C

10.0

125 C

25 C

75 C

1.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

的s

，G ate- S环境允许的电压（V ）

S.D。

，B ODY二极管F orward V oltage （ V）

F igure 7.在-R es是tance VS 。

摹吃-S环境允许的V oltage

F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage

V ariation带S环境允许光凭目前

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