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STM8319
S A mHop微电子 ORP 。
版本1.0
双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）
产品概要（ N沟道）
V
DSS
30V
产品概要（ P沟道）
V
DSS
-30V
I
D
7A
R
DS （ ON）
(m
）最大
25
@
VGS=10V
I
D
-6A
R
DS （ ON）
(m
）最大
35
@
VGS=-10V
52
@
VGS=-4.5V
30
@
VGS=4.5V
D
2
D
2
5
6
7
8
4
3
2
1
G
2
S
2
G
1
S
1
S 0 - 8
1
D
1
D
1
绝对最大额定值（
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
d
a
N沟道
30
±20
T
A
=25°C
T
A
=70°C
7
5.6
25
17
T
A
=25°C
T
A
=70°C
2
1.3
P沟道
-30
±20
-6
-4.8
-22
20
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
-55到150
热特性
R
JA
热阻，结到环境
a
62.5
° C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
Oct,29,2007
1
www.samhop.com.tw
STM8319
版本1.0
N沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
V
1
±10
uA
uA
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
=0V
30
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.4A
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
1
1.7
19
24
13
3
25
30
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
445
120
60
pF
pF
pF
V
DD
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
根
= 6欧姆
V
DS
=15V,I
D
=7A,V
GS
=10V
V
DS
=15V,I
D
=7A,V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,I
D
=7A,
V
GS
=10V
8.5
10.5
17
20
8
4
1.3
1.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
二极管的正向电压
b
1.7
0.78
1.2
A
V
V
GS
=0V,I
S
=1.7A
Oct,29,2007
2
www.samhop.com.tw
STM8319
版本1.0
P沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
V
-1
±10
uA
uA
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
-30
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.9A
V
DS
= -5V ，我
D
=-6A
-1.0
-1.6
27
38
8.5
-3.0
35
52
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
790
215
120
10
15
67
33
15
7.5
1.4
4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
根
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-6A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-6A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V,I
D
=-6A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1.7A
-0.76
-1.7
-1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C，V
DD
= 20V,V
GS
=10V,L=0.5mH.
Oct,29,2007
3
www.samhop.com.tw
STM8319
版本1.0
N沟道
40
V
GS
=10V
V
GS
=5V
V
GS
=4.5V
20
V
GS
=4V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
32
16
24
V
GS
=3.5V
16
V
GS
=3V
12
TJ = 125℃
8
-55 C
4
0
25 C
8
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
60
50
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.0
V
的s
=4.5V
I
D
=6.4A
V
的s
=10V
I
D
=7A
R
DS （ ON）
(m
)
40
30
20
V
GS
=10V
10
1
V
GS
=4.5V
1
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
8
16
24
32
40
0
25
50
75
100
125
150
T J （
°C )
I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ ° C）
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.3
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ，归
漏源击穿电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=250uA
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
100 125 150
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.门阈值变化
随温度
4
图6.击穿电压变化
随温度
Oct,29,2007
www.samhop.com.tw
STM8319
版本1.0
20.0
49
42
是，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=7A
10.0
R
DS （ ON）
(m
)
35
75 C
28
21
25 C
125 C
75 C
25 C
125 C
14
7
0
2
4
6
8
10
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
900
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
V
GS
，门源电压（ V）
750
C，电容（pF ）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=7A
600
西塞
450
300
150
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
100
Tr
250
I
D
，漏电流（ A）
切换时间（纳秒）
100
60
10
TD （关闭）
TD （上）
10
R
Tf
DS
(O
L
N)
im
it
10
0u
1m
s
10
1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
DC
10
ms
0m
s
s
1
1
VDS=15V,ID=1A
VGS=10V
0.1
60 100
300 600
0.1
6 10
1
10
100
RG ，栅极电阻（
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
Oct,29,2007
5
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SST89V52RD2-33-C-NJ
SST39LF040-45-4I-NHE
SMH4042G-AKN
STM706SM6E
SSY39L400554EB33
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操作
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    STM8319
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