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S T M8305
S amHop微电子 ORP 。
月, 2005年13
双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道)
P ODUC牛逼S UMMAR
( N-C hannel )
V
DS S
30V
P ODUC牛逼S UMMAR
(P - C hannel )
V
DS S
-30V
I
D
7A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
I
D
-5.3A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
25 @ V
的s
= 10V
40 @ V
的s
= 4.5V
D
1
8
45 @ V
的s
= -10V
60 @ V
的s
= -4.5V
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
N-C hannel P-C hannel
30
20
7
6
29
1.7
2
1.44
-55到150
-30
20
-5.3
-4.2
-21
-1.7
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
TA = 25℃
TA = 70℃
工作结点和S torage
温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ,结到环境
a
R
JA
1
62.5
C / W
S T M8305
N沟道电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 6.6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5A
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 5V ,我
D
= 6.6A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
V
uA
100 nA的
1
1.5
18
32
20
9
630
170
105
3.5
15.2
5.3
22.1
12.8
13.3
7.2
2.9
3.6
18
6
26
15
15
8
3.4
4.2
745
200
125
3
25
40
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
栅极电阻
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
c
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
DD
= 15V
I
D
= 6.6 A
V
GS
= 10V
R
GE
= 3欧姆
V
DS
= 15V ,我
D
=6.6A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
=6.6A,V
GS
=4.5V
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 15V ,我
D
= 6.6 A
V
GS
=10V
2
S T M8305
P沟道电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
=
-
10V ,我
D
=
-
5A
V
GS
=
-
4.5V ,我
D
=
-
4A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -5V ,我
D
=
-
5A
最小值典型值
C
最大单位
-30
-1
V
uA
100 nA的
-1
-1.5
35
48
-12
9
770
180
110
3.3
12.6
9.6
49.5
27.8
14
7.2
2.3
3.2
15
11
56
32
16
8
2.7
3.8
885
205
133
-3
45
60
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
栅极电阻
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
c
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
DD
= -15V
R
L
= 3欧姆
V
GS
= -10V
R
GE
= 3欧姆
V
DS
= -15V ,我
D
=-5A,V
GS
=-10V
V
DS
= -15V ,我
D
=-5A,V
GS
=-4.5V
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -15V ,我
D
= -5 A
V
GS
=-10V
3
S T M8305
电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
b
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.7A
V
GS
= 0V ,是= -1.7A
N沟道
P沟道
最小典型最大单位
0.8
-0.8
1.2
-1.2
C
漏源二极管的特性
V
SD
V
笔记
a.Surface安装在FR4板,T
10sec.
* R
JA
62.5 C / W安装在1英寸时,
2
FR -4板2盎司铜
* R
JA
在为125℃ / W安装在0.02的时候
2
FR -4板2盎司铜
b.Pulse测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
N沟道
20
16
V
GS
=4.5V
V
GS
=5V
V
GS
=10V
25
V
GS
=4V
20
-55 C
5
I
D
,漏电流( A)
12
V
GS
=3.5V
8
V
GS
=3V
V
GS
=2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I
D
,漏电流( A)
15
10
TJ = 125℃
5
0
0.0
25 C
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
1200
1000
2.2
图2.传输特性
V
的s
=10V
I
D
=6.6A
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
(归一化)
1.8
1.4
1.0
0.6
0.4
0
-50
C,电容(pF )
800
600
400
200
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
西塞
-25
0
25
50
75
100
125 150
TJ ( C)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
4
S T M8305
N-C hannel
5
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=-250uA
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
F igur ê 5.摹吃牛逼小时eshold V AR iation
以T emper ATUR ê
15
F igur ê 6. B R EAK倒V oltage V AR iation
以T emper ATUR ê
20.0
g
F小号
,T失败者电导( S)
是,S环境允许的漏电流( A)
20
12
9
6
3
0
0
5
10
V
DS
=5V
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
,排水-S环境允许光凭目前 (A )
V
S.D。
,B ODY二极管F orward V oltage ( V)
F igur ê 7.牛逼 ansconductance V AR iation
与医生艾因C-UR 耳鼻喉科
F igur ê 8. B ODY二极管F或战争D V oltage
V AR iation带酸味的CE C-UR 耳鼻喉科
5
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联系人:刘经理
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