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STM8020
SAMHOP微电子股份有限公司
2007年3月30日
N沟道增强型网络场效晶体管
产品概述
V
DSS
35V
F ê乌尔（E S）
( m
Ω
）最大
I
D
12A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
（E S） P rotected 。
9 @ V
GS
= 10V
13 @ V
GS
= 4.5V
SO-8
1
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
P
D
TA = 70℃
I
D
极限
35
20
12
9.6
48
1.7
2.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
1.6
T
J
, T
s TG
-55到150
C
热特性
热阻，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
STM8020
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
=28V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
=10A
最小值典型值
C
最大单位
35
1
10
1
1.4
7.2
9.5
20
25
1400
3
9
V
uA
uA
V
兆欧
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
b
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
13
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
c
V
DS
=20V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
255
145
19
20
77
40
24
11
2.5
5.5
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
t
D（关闭）
t
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
根
= 6欧姆
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A ，V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
V
GS
=10V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
STM8020
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小值典型值
C
最大单位
0.73
1.2
V
漏源二极管的特性
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
100
V
的s
=4.5 V
V
的s
=10V
20
V
的s
=4V
V
的s
=3.5 V
16
T J = 125℃
80
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
60
V
的s
=3V
40
12
8
25 C
-55 C
20
V
的s
=2.5V
4
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
18
图2.传输特性
1.75
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
15
1.60
1.45
1.30
1.15
1.0
0
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
=10A
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
12
9
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
6
3
1
1
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
TJ （ C）
I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ C）
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
3
S T M8020
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
30
20.0
I
D
=10A
是，S环境允许的漏电流（ A）
25
10.0
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
20
15
10
75 C
5
0
25 C
125 C
25 C
125 C
75 C
0
2
4
6
8
10
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
的s
，G吃-S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4
STM8020
1800
1500
西塞
10
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=10A
C，C apacitance （PF ）
1200
900
600
300
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
6
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
600
TD （关闭）
Tr
图10.栅极电荷
50
10
I
D
，漏电流（ A）
(O
S
N)
LIM
it
切换时间（纳秒）
100
60
10
10
R
D
Tf
TD （上）
10
ms
0m
s
1
DC
1s
1
1
V DS = 15V ， ID = 1A
V G S = 10V
0.1
0.03
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
6 10
60 100 300 600
RG ，栅极电阻（
Ω
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.switching特点
9
图12.最大安全
工作区
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
on
P
DM
t
1
t
2
1. R
thJA
（吨） = R （t）的R *
JAth
2. R
th
=请查阅技术资料
JA
(t)
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA日
4.占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
5
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