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S T M6920
S amHop微电子 ORP 。
月, 2005年18 ver1.2
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
40V
F ê乌尔(E S)
( m
W
)最大
I
D
7A
R
DS ( ON)
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
25 @ V
的s
= 10V
45 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
40
25
7
5.9
22
1.7
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
TA = 70℃
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ,结到环境
a
R
JA
1
62.5
C / W
S T M6920
N沟道电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 25V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5A
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
= 5V ,我
D
= 6A
最小值典型值
C
最大单位
40
1
V
uA
100 nA的
1
1.8
20
35
15
8
947
117
77
2
16.7 19
3.6
10.1
5
14
24
12
4
5
28.7 38
18.2
8.7
2.8
3.3
1231
152
100
2.5
25
45
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
栅极电阻
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
c
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
DD
= 20V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10V
R
GE
= 3.3欧姆
V
DS
= 20V ,我
D
=6A,V
GS
=10V
V
DS
= 20V ,我
D
=6A,V
GS
=4.5V
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 20V ,我
D
= 6 A
V
GS
=4.5V
2
S T M6920
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.7A
最小典型最大单位
0.78 1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
20
V
的s
=10,9,8,7,6,5V
25
16
20
V
的s
=4V
I
D
,排水光凭目前 (A )
I
D
,排水光凭目前 (A )
25 C
15
T J = 125℃
10
-55 C
5
0
0.0
12
8
4
0
V
的s
=3V
0
2
4
6
8
10
12
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
F igure 1输出C haracteris抽动
2.2
1500
1200
C为S
900
600
300
0
RS s
0
5
10
15
20
25
30
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=10V
I
D
=6A
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
C,C apacitance (PF )
OS s
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T J ( C)
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3
S T M6920
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
以T emperature
18
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
10
g
F小号
,T失败者电导( S)
12
9
6
3
0
0
5
10
15
V
DS
=5V
20
25
是,S环境允许的漏电流( A)
15
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=25 C
1.2
1.4
I
DS
,排水-S环境允许光凭目前 (A )
V
S.D。
,B ODY二极管F orward V oltage ( V)
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
,排水光凭目前 (A )
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
V
的s
,G连吃向S环境允许的V oltage ( V)
8
6
4
2
0
0
V
DS
=20V
I
D
=6A
10
R
D
S
(O
L
N)
im
it
10
10
0m
s
ms
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10 20
50
2
4
6
8
10 12 14 16
QG ,T otal摹吃哈耶( NC)
V
DS
,排水-S环境允许的V oltage ( V)
F igure 9.摹吃哈耶
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
S T M6920
V
DD
t
on
t
关闭
t
r
90%
5
V
的s
R
GE
V
IN
D
G
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11,S魔力牛逼ES吨碳ircuit
10
F igure 12 S魔力波形
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
on
0.1
0.05
0.02
0.01
1.
2.
3.
4.
t
2
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
R
THJ一
(吨) = R (t)的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ,D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗曲线
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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