S T M6915
S amHop微电子 ORP 。
月， 2006年12
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
30V
F ê乌尔（E S）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
I
D
8.5A
R
DS （ ON） （M
）最大
19 @ V
的s
= 10V
28 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
摹吃-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @ T一
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
IDM
IS
P
D
ID
N沟道
30
20
8.5
6.5
40
1.7
2
1.44
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管F orward光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
经营油膏和S torage
温度法兰
T A = 25℃
T A = 70℃
T
J
, T
s TG
-55到-150
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
1
S T M6915
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
= 5V ，我
D
= 6A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
V
uA
100 nA的
1
1.8
16
22
15
13
770
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
3
19
28
V
兆欧
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
160
95
14
16
16.5
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V,
I
D
= 1A,
V
GS
= 10V,
R
GE
= 6
欧姆
R
L
= 15
欧姆
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
29
14.6
7.9
2.2
3.5
V
DS
= 15V ，我
D
=8A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，我
D
=8A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ，我
D
= 8A,
V
GS
=4.5V
S T M6915
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.82 1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
50
V
的s
=10V
15
V
的s
=4.5V
V
的s
=4V
40
12
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J = 125℃
30
V
的s
=3.5V
9
-55 C
20
V
的s
=3V
V
的s
=2.5V
6
25 C
10
3
0
0.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
F igure 2.跨FER haracteris抽动
36
1.75
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
30
1.60
1.45
1.30
1.15
1.00
0.85
V
的s
=10V
I
D
=8A
V
的s
=4.5V
I
D
=5A
R
DS （ ON）
(m
)
V
的s
=4.5V
24
18
V
的s
=10V
12
6
1
1
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
3
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
S T M6915
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.20
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
48
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=8A
是，S环境允许的漏电流（ A）
40
25 C
75 C
125 C
10.0
5.0
R
DS （ ON）
(m
)
32
24
16
8
0
25 C
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
的s
，G吃-S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4
S T M6915
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
1200
1000
10
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=8A
C，C apacitance （PF ）
C为S
800
600
400
OS s
6
200
RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14 16
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
F igure 9 apacitance
F igure 10摹吃哈耶
250
Tr
50
10
(O
DS
L
N)
im
it
10
S魔力牛逼IME （ NS ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
100
60
Tf
TD （关闭）
R
10
1s
ms
0m
s
10
TD （上）
1
DC
V·D
S = 15V ， ID = 1A
0.1
0.03
1
1
V G S = 10V
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
40
6 10
60 100 300 600
R G ，G吃 ES是tance （
)
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 11.s魔力characteris抽动
9
F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
0.01
1.
2.
3.
4.
t
2
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
5
QQ：2881677436 复制
