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STM4886
S A mHop微电子 ORP 。
版本1.0
N沟道增强型网络场效晶体管
产品概述
V
DSS
30V
特点
超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
Suface贴装封装。
I
D
17A
R
DS （ ON）
(m
）最大
5
@
VGS=10V
8
@
VGS=4.5V
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
S 0 - 8
1
D
D
绝对最大额定值（
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
b
a
极限
30
±20
T
A
=25°C
17
68
181
T
A
=25°C
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
-Pulsed
事务所脉冲雪崩能量
d
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
热特性
R
JA
热阻，结到环境
a
50
° C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
Mar,24,2008
1
www.samhop.com.tw
STM4886
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
=0V
民
30
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
1
±100
1
1.7
3.8
5.8
20
2500
640
440
52
85
82
65
58
28
5.4
17
0.73
1.2
3
5
8
uA
nA
V
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=17A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=13.5A
V
DS
= 15V ，我
D
=17A
正向跨导
动态特性
c
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
c
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
V
DD
=15V
I
D
=17A
V
GS
=10V
R
根
= 6欧姆
V
DS
=15V,I
D
=17A,V
GS
=10V
V
DS
=15V,I
D
=17A,V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,I
D
=17A,
V
GS
=10V
栅极 - 漏极电荷
c
漏源二极管的特性
二极管的正向电压
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=17A
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=1.25mH,R
G
=25
,I
AS
=17A,V
DD
= 30V （见Figure13 ）
Mar,24,2008
2
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STM4886
版本1.0
25
V G S = 4.5V
V G S = 10V
20
I
D
，漏电流（ A）
V G S = 3 V
I
D
，漏电流（ A）
20
16
15
12
125 C
8
25 C
4
0
-55 C
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
7
V
的s
=4.5V
6
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
V
的s
=4.5V
I
D
=13.5A
V
的s
=10V
I
D
= 17 A
R
DS （ ON）
(m
)
5
4
V
的s
=10V
3
2
1
1
5
10
15
20
25
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
0
25
50
75
100
125
150
T J （
°C )
I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ ° C）
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.2
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ，归
漏源击穿电压
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
75 100 125 150
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.门阈值变化
随温度
图6.击穿电压变化
随温度
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3
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STM4886
版本1.0
15.0
12.5
20.0
是，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=17 A
10.0
5.0
25 C
R
DS （ ON）
(m
)
10.0
7.5
5.0
2.5
0
75 C
25 C
125 C
125
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0
0.24
0.48
0.72
0.96
1.20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
3600
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
V
GS
，门源电压（ V）
3000
C，电容（pF ）
西塞
2400
1800
1200
科斯
600
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
8
6
4
2
0
0
V
DS
= 15V
I
D
=17 A
9
18
27
36
45
54
63 72
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
6000
60
I
D
，漏电流（ A）
R
D
Tr
S
(O
L
N)
im
it
10
0u
s
切换时间（纳秒）
1000
600
TD （关闭）
Tf
10
10
1s
DC
1m
10
0m
ms
s
100
TD （上）
s
1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
10
1
6 10
V DS = 15V ， ID = 17A
V G S = 10V
0.1
0.1
60 100 300 600
10
30 50
RG ，栅极电阻（
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
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4
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STM4886
版本1.0
15V
V
（ BR ）D S S小
tp
VDS
L
，D R IVE
RG
20V
.U .T
IA
S
tp
+
- VD
A
0.0 1
I
AS
非钳位感应测试电路
F igure 13A 。
非钳位感应波形
F igure 13B 。
1
0.5
归一化瞬时
热阻
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
1.
2.
3.
4.
t
1
t
2
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
0.001
0.0000 1
0.000 1
0.001
0.01
0. 1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
图14.归瞬态热阻抗曲线
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5
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