WT4884AM
表面安装N沟道
增强型MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
漏电流
12安培
漏源电压
30电压
D
1
3
S
S
8
7
D
2
D
6
S
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<6毫欧@ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
<8.5毫欧@ V
GS
=4.5V
*坚固可靠
* SO- 8封装
D
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 125℃ ）
(1)
漏电流脉冲
(2)
漏源二极管的正向电流
(1)
功耗
(1)
最大最大结点到环境
(1)
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
R
θ
JA
T
J
， TSTG
价值
30
团结
V
V
A
A
A
W
C / W
C
G
4
5
1
SO-8
+
-20
12
44
1.7
2.5
50
-55到150
器件标识
WT4884AM=STM4884A
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1/6
01-Aug-05
WT4884AM
电气特性
STATIC
(2)
特征
（ TA = 25℃除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
民
典型值
-
1.6
-
-
最大
-
3
+
-100
1
7
11
单位
V
V
nA
uA
m
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250微安
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
= 250微安
栅极 - 源极漏电流
+
V
DS
=0V, V
GS
=-20V
零栅极电压漏极电流
V
DS
=24V, V
GS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
通态漏电流
V
DS
=10V, V
GS
=10V
正向跨导
V
DS
= 15V ，我
D
=12A
30
1
-
-
-
-
20
r
DS （
on
)
6
8.5
I
D（上）
g
fs
-
22
-
-
A
S
-
动态
(3)
输入电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
3150
680
510
-
-
-
PF
开关
(3)
导通延迟时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，R
根
=6
上升时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，R
根
=6
打开-O FF时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，R
根
=6
下降时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，R
根
=6
总栅极电荷
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A ，V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A ，V
GS
=4.5V
栅极 - 源电荷
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=12A
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=12A
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
S
=1.7A
t
d
(
on
)
tr
t
D（关闭）
tf
Qg
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
13
127.5
55.5
-
nS
nS
nS
nS
nc
-
-
-
-
-
65
30.5
11
13
0.75
QGS
QGD
-
-
1.2
nc
nc
V
V
SD
注： 1.表面安装在FR4板吨< 10秒。
_
_
_
2.脉冲测试： PW < 300US ，占空比< 2 ％ 。
3.设计保证，不受生产测试。
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2/6
01-Aug-05
WT4884AM
20
VGS=3.5V
VGS=4V
VGS=10V
宽E IT R 0
20
15
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
16
12
8
4
VGS=4.5V
10
125 C
5
25 C
1
0
-55 C
VGS=3V
VGS=2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1输出特性
图2传输特性
4200
1.8
西塞
R
DS （ ON）
，导通电阻
（归一化）
3500
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
V
GS
=10V
I
D
=12A
C，电容（pF ）
2800
2100
1400
700
0
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
30
-25
0
25
50
75
100
125
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
TJ ，结温（ C）
图3电容
图4的导通电阻随温度的变化
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
1.3
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
I
D
=250uA
75 100 125
75 100 125
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5门阈值变化
随温度
图6击穿电压的变化
随温度
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WT4884AM
30
宽E IT R 0
20.0
V
GS
=0V
g
FS
，跨导（ S）
24
18
12
6
0
V
DS
=10V
0
5
10
15
20
是，源极 - 漏极电流（ A）
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7跨导变化
与漏极电流
图8体二极管的正向电压
变化与源电流
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
R
D
S
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=12A
10
(O
N)
Li
m
it
10
50
1
DC
1s
10
10
m
0m
s
s
0.1
0.03
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
0
9
18
27
36
45
54
63
72
QG ，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电压（V ）
图9栅极电荷
图10最大安全工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11开关测试电路
图12开关波形
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WT4884AM
宽E IT R 0
10
R（T ） ，归一化暂态
热阻
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
1. R
θ
j
A
（吨） = R （t）的R *
θ
j
A
2. R
θ
j
A
=请查阅技术资料
3. TJ
M
-TA = P
DM
* R
θ
j
A
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
图13归一化瞬态热阻抗CUREVE
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01-Aug-05
S T M4884A
S amHop微电子 ORP 。
2004年12月28日了Ver.1.1
NC hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
30V
F ê乌尔（E S）
(m
I
D
12A
R
DS （ ON）
W
)
典型值
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
6 @ V
的s
= 10V
8.5 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
S 0 - 8
1
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
12
44
1.7
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
S T M4884A
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
100
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
uA
nA
V
兆欧
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
1
1.6
6
8.5
20
22
3150
680
510
27
13
127.5
55.5
V
DS
=15V,I
D
=12A,V
GS
=10V
V
DS
=15V,I
D
=12A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
V
GS
=10V
2
3
7
11
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
GE
= 6欧姆
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
65
30.5
11
13
S T M4884A
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小值典型值
C
最大单位
0.75 1.2
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
a.Surface安装在FR 4局，T < = 10秒。
b.Pulse测试：脉冲Width< = 300US ，职务Cycle< = 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
20
V G S = 3.5V
V G S = 4V
20
16
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V G S = 10V
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V G S = 4.5V
15
12
8
4
V G S = 2.5V
V G S = 3V
10
125 C
5
25 C
1
0
-55 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
4200
1.8
F igure 2.跨FER haracteris抽动
C，C apacitance （PF ）
C为S
2800
2100
1400
700
0
OS s
RS s
0
5
10
15
20
25
30
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
（归一化）
3500
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
V
的s
=10V
I
D
=12A
-25
0
25
50
75
100
125
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3
S T M4884A
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
30
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
24
18
12
6
V
DS
=10V
0
0
5
10
15
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
I
D
，排水光凭目前 （A ）
R
D
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=12A
10
S
(O
N)
升IM
it
10
10
10
1s
ms
0m
s
1
DC
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
9
18
27 36
45
54
63
72
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S T M4884A
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
-2
t
2
R
θJ
A
（吨） = R （t）的R *
θJ
A
R
θJ
A
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
θJ
A
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2880707522 复制
