WT4433AM
表面安装P- CHANNEL
增强型MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
漏电流
-6安培
漏源电压
-30电压
D
1
3
S
S
G
8
7
D
2
D
6
S
D
4
5
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<35米
@V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
<55米
@V
GS
= -4.5V
*坚固可靠
* SO- 8封装
1
SO-8
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 125℃ ）
(1)
漏电流脉冲
(2)
漏源二极管的正向电流
(1)
功耗
(1)
最大最大结点到环境
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
R
θ
JA
T
J
， TSTG
价值
-30
团结
V
V
A
A
A
W
C / W
C
±20
-6
-30
-1.7
2.5
50
-55到150
器件标识
WT4433AM=STM4433A
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WEITRON
1/6
29-Jun-05
WT4433AM
电气特性
STATIC
(2)
特征
(T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
民
典型值
-
-1.9
-
-
最大
-
-3.0
+
-100
-1
35
55
单位
V
V
nA
uA
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= -250微安
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250微安
栅极 - 源极漏电流
+
V
DS
=0V, V
GS
=-20V
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.0A
通态漏电流
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
正向跨导
V
DS
= -15V ，我
D
=-5.8A
-30
-1
-
-
-
-
-20
R
DS （
on
)
I
D（上）
g
fs
21
40
m
Ω
-
8.5
-
-
A
S
-
动态
(3)
输入电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
920
270
170
-
-
-
PF
开关
(3)
导通延迟时间
V
D
=-15V, V
根
= -10V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
Ω
上升时间
V
D
=-15V, V
根
= -10V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
Ω
打开-O FF时间
V
D
=-15V, V
根
= -10V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
Ω
下降时间
V
D
=-15V, V
根
= -10V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
Ω
总栅极电荷
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
V
DS
=-15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5.8A
栅极 - 源电荷
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
S
=-1.7A
t
d
(
on
)
tr
t
D（关闭）
tf
Qg
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.6
35.3
36.9
36.3
-
nS
nS
nS
nS
-
-
-
-
-
17.5
9.4
2.9
4.8
-0.77
nc
nc
nc
V
QGS
QGD
-
-
-1.2
V
SD
注： 1.表面安装在FR4板吨
≤
10sec.
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
3.设计保证，不受生产测试。
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WEITRON
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WT4433AM
20
16
12
8
4
-V
GS
=2V
-V
GS
=4.5V
-V
GS
=10V
-V
GS
=4V
-V
GS
=3.5V
WEITRON
25
20
15
10
125 C
5
0
25 C
-55 C
0.0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
-I
D
，漏电流（ A）
-V
GS
=3V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-I
D
，漏电流（ A）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1 。输出特性
1500
1250
1000
750
250
0
R
DS （ ON）
，导通电阻（ Ω ）
（ Normalived ）
C，电容（
P
F)
图2传输特性
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
V
GS
= -10V
I
D
= -5.8A
西塞
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
30
-25
0
25
50
75
100
125
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25
BV
DSS
，归一化
漏源击穿电压（ V）
栅源阈值电压（ V）
图4导通电阻变化与
温度
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，漏电流（C ）
V
DS
=V
GS
I
D
= -250uA
I
D
= -250uA
V
th
，归一化
0
25
50
75 100 125 150
T
j
，结温（ C）
T
j
，结温（ C）
图5门阈值变化
随温度
图6击穿电压的变化
随温度
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12
-I
S
，源极 - 漏极电流（A）
15
g
FS
，跨导（ S）
20.0
10.0
WEITRON
9
6
3
V
DS
= -15V
0
0
5
10
15
20
1
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
1.3
-I
DS
，漏源电流（A ）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7跨导变化
与漏极电流
-V
GS
，门源电压（ V）
10
-I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
2
0
图8体二极管的正向电压
变化与源电流
50
V
DS
= -15V
I
D
= -5.8A
R
DS
（ON ）限制
10
10ms
100ms
1
1s
DC
0.1
0.03
0.1
V
GS
= -10V
单脉冲
T
A
=25 C
1
10
30
50
0
3
6
9
12
15
18
21
24
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏源电流（ V）
图9栅极电荷
-V
DD
图10最大安全工作区
t
on
t
关闭
t
r
90%
V
IN
D
V
GS
R
根
G
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
倒
脉冲宽度
图11开关测试电路
图12开关波形
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2
R（T ） ，归一化暂态
1
热阻
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
1. R
θ
j
A
（吨） = R （t）的R *
θ
j
A
2. R
θ
j
A
=请查阅技术资料
3. T
JM
-T
A
= P
DM
* R
θ
JA
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
图13归一化瞬态热阻抗CUREVE
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S T M4433A
S amHop微电子 ORP 。
an.25 2005年
P - C hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
-30V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
5
I
D
-6A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
35 @ V
的s
= -10V
55 @ V
的s
= -4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
8
D
7
D
6
D
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
S
S
G
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
-30
20
-6
-30
-1.7
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
S T M4433A
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -15V ，我
D
= - 5.8A
最小值典型值
C
最大单位
-30
-1
100
-1
-1.9
21
40
-20
8.5
920
270
170
-3.0
V
uA
nA
V
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
35
M-欧姆
55
M-欧姆
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
D
= -15V,
I
D
= -1A,
V
GE
= - 10V,
R
GE
= 6 -ohm
V
DS
= -15V ，我
D
=-5.8A,V
GS
=-10V
V
DS
= -15V ，我
D
=-5.8A,V
GS
=-4.5V
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.8A,
V
GS
=-10V
8.6
35.3
36.9
36.3
17.5
9.4
2.9
4.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T M4433A
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= -1.7A
最小值典型值
C
最大单位
-0.77 -1.2
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
a.Surface安装在FR 4局，T < = 10秒。
b.Pulse测试：脉冲Width< = 300US ，职务Cycle< = 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
20
-V的s = 4.5V
-V的s = 10V
-V的s = 4V
-V的s = 3.5V
25
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
16
20
12
-V的s = 3V
15
125 C
10
25 C
5
0
-55 C
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
8
4
-V的s = 2V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
-V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
1500
1.8
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
（归一化）
1250
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
V
的s
=-10V
I
D
=-5.8A
C，C apacitance （PF ）
1000
750
500
250
RS s
0
0
5
10
15
20
OS s
C为S
25
30
-25
0
25
50
75
100
125
-V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3
S T M4433A
1.2
1.1
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.3
I
D
=-250uA
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
5
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
15
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
20
12
9
6
3
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
1.3
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12 15
18
21
24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
=-15V
I
D
=-5.8A
10
R
DS
(O
L
N)
im
it
10
10
1s
ms
0m
s
1
DC
0.1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S T M4433A
-V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
S
V
IN
50%
10%
50%
INVE TE
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
-2
t
2
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2881677436 复制
