S T M4433
S amHop微电子 ORP 。
MAY 。 2004年12
P - C hannel ê nhancement模式的MOS FE牛逼
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
-30V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
5
I
D
-6A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
35 @ V
的s
= -10V
50 @ V
的s
= -4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
8
D
7
D
6
D
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
S
S
G
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
-6
-30
-1.7
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
S T M4433
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -15V ，我
D
= - 5.3A
最小值典型值
C
最大单位
-30
-1
100
-1
-1.7 -2.5
V
uA
nA
V
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
35
M-欧姆
50
M-欧姆
-15
5
638
217
79
V
D
= -15V,
I
D
= -1A,
V
GE
= - 10V,
R
GE
= 6 -ohm
V
DS
= -15V ，我
D
=-5.3A,V
GS
=-10V
V
DS
= -15V ，我
D
=-5.3A,V
GS
=-4.5V
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.3A,
V
GS
=-10V
2
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
10.5
17.8
124.7
68.3
20.1
10.4
2.3
5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
STM4433
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= -1.7A
最小值典型值
C
最大单位
-0.76 -1.2
V
漏源二极管的特性
b
笔记
a.Surface安装在FR4板，T < = 10秒。
b.Pulse测试：脉冲Width< = 300US ，职务Cycle< = 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
10
-VGS=4V
25
20
25 C
8
-I
D
，漏电流（ A）
-I
D
，漏电流（ A）
125 C
15
-55 C
10
6
-VGS=10,9,8,7,6,5V
4
2
-VGS=3V
5
0
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
（归一化）
900
750
西塞
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
图2.传输特性
V
GS
=-10V
I
D
=-5.8A
C，电容（pF ）
600
450
300
150
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
0.6
-55
-25
0
25
50
75
100 125
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
TJ ，结温（ C）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
3
S T M4433
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=-250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
15
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
20
12
9
6
3
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
=-15V
I
D
=-5.3A
10
R
D
O
S
(
L
N)
im
it
10
1s
DC
10
0m
ms
s
1
0.1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
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