STM2DPFS30L
P - 通道30V - 0.145Ω - 2A MiniS0-8
的STripFET
MOSFET PLUS肖特基整流器
初步数据
主要产品特性
MOSFET
V
DSS
30V
肖特基
I
F（ A V ）
1A
R
DS （ ON）
<0.165
V
RRM
40V
I
D
2A
V
F （M AX ）
0.55V
MiniSO-8
描述：
该产品相关联的最新的低电压
圣ripFET
在p沟道版本到一个低压降
Schottk 二极管。这样的配置是非常
多才多艺的实施种类繁多的DC-DC
转换器打印机，便携式设备和
蜂窝电话。
新MiniSO - 8封装的特点：
s
内部原理图
s
一半的占位面积与标准SO- 8 ，为
应用程序，其中最小的电路板
空间是必要的。
非常低调，非常适用于低厚度
设备。
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
吨OT
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k
)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
o
VALU ê
30
30
±
20
2
1.3
8
1.25
单位
V
V
V
A
A
A
W
肖特基绝对最大额定值
SYMB OL
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV）
I
FSM
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
关键的增长速度反向电压
T
a
=60
o
C
δ
=0.5
TP = 10毫秒
正弦
VALU ê
40
2
1.2
5.5
10000
取消它
V
A
A
A
V / μs的
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
注意：对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
1999年7月
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