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STL9N3LLH5
N沟道30V， 0.015
9 A， PowerFLAT （ 3.3x3.3 ）
,
的STripFET V功率MOSFET
特点
TYPE
STL9N3LLH5
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.019
I
D
9 A
(1)
1.该值根据Rthj -的pcb额定
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
PowerFLAT(3.3x3.3)
（芯片级封装）
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
本产品采用了5
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
最低可用
DS （ ON）
*Q
g
在这种芯片规模
包，使该器件适合于大多数
苛刻的DC-DC转换器的应用，其中
高功率密度来实现。
表1中。
设备简介
订货编号
STL9N3LLH5
记号
9N3L
包
PowerFLAT （ 3.3x3.3 ）
包装
磁带和卷轴
2009年7月
文档ID 16012牧师1
1/12
www.st.com
12
目录
STL9N3LLH5
目录
1
2
3
4
5
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
.............................................. 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
2/12
文档ID 16012牧师1
STL9N3LLH5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT(3)
P
TOT(1)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 22
9
6
36
50
2
0.4
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. vaule是根据Rthj -C评分
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
R
THJ -印刷电路板（2）
热阻
参数
热阻结到外壳（漏）
热阻结到PCB
热阻结到PCB
价值
2.5
42.8
63.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
2.稳态
文档ID 16012牧师1
3/12
电气特性
STL9N3LLH5
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 22 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.5 A
1
15
19
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
m
2.5
19
22
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 9 A
V
GS
=4.5 V
（参见图14）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
-
-
分钟。
典型值。
724
132
20
5
2
2
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
门输入电阻
3.3
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图13）
-
分钟。
典型值。
4
4.2
21
3.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
4/12
文档ID 16012牧师1
STL9N3LLH5
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
9 = A，V
GS
=0
I
SD
= 9 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
（参见图18）
-
测试条件
分钟。
-
-
-
21
10
1
典型值。
马克斯。
9
36
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 16012牧师1
5/12
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