STL8NH3LL
N沟道30V - 0.012Ω - 8A - PowerFLAT
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL8NH3LL
■
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.015
I
D
8A
(1)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
符合2002/95 / EC欧洲
指示
PowerFLAT(3.3x3.3)
（芯片级封装）
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
顶视图
订购代码
销售类型
STL8NH3LL
记号
8NH3L
包
PowerFLAT （ 3.3× 3.3 ）
包装
磁带&卷轴
2006年3月
第七版
1/12
www.st.com
12
内容：
STL8NH3LL
内容：
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL8NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT(3)
P
TOT(1)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 18
8
5
32
50
2
0.4
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. vaule是根据Rthj -C评分
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
R
THJ -印刷电路板（2）
热阻
参数
热阻结到外壳（漏）
热阻结到PCB
热阻结到PCB
价值
2.5
42.8
63.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
2.稳态
3/12
电气特性
STL8NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
试验性条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
= MaxRating @ 125°C
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ±18V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
1
0.012
0.0135
2.5
0.015
0.017
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4A
分钟。
典型值。
30
965
285
38
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
V
GS
=4.5V
（参见图7 ）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
0.5
1.5
2.5
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STL8NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 4A,
R
G
=4.7, V
GS
=4.5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8A ，V
GS
=0
I
SD
=8A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图15）
24
17.4
1.45
试验性条件
民
典型值。
最大
8
32
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STL8NH3LL
N沟道30 V - 0.012
- 8的PowerFLAT
超低栅极电荷的STripFET MOSFET
初步数据
表1 ：一般特点
TYPE
STL8NH3LL
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.015
I
D
(1)
8A
V
DSS
30 V
典型
DS
（上） = 0.012
@ 10V
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(3.3x3.3)
描述
此应用程序特定的MOSFET是最新
GENERATION
of
意法半导体
独特
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT 封装
年龄允许一个显著的电路板空间节省，仍
提升性能。
（芯片级封装）
图2 ：内部原理图
应用
s
控制用FET降压转换器
顶视图
表2 ：订购代码
产品型号
STL8NH3LL
记号
L8NH3LL
包
PowerFLAT （ 3.3x3.3 ）
包装
磁带&卷轴
REV 2
2004年10月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知
1/7
STL8NH3LL
电气特性
（续）
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图3）
V
DD
= 15V ，我
D
= 8 A，V
GS
= 4.5 V
（见图5）
分钟。
典型值。
15
32
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
表8 ：开关
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5 V
（参见图3）
分钟。
典型值。
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(3)
V
SD
(5)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见图4）
24
17.4
1.45
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
（1）的值是在额定根据
THJ -C
（2）的值是在额定根据
THJ -A
（ 3 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ 4 ）当安装在最小的足迹
（ 5 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
3/7
STL8NH3LL
PowerFLAT （ 3.3x3.3 ）机械数据
mm.
DIM 。
分钟。
A
A1
A3
b
C
C1
D
D2
E
E2
F
F1
e
L
0.30
1.25
2.50
0.23
0.80
典型值
0.90
0.02
0.20
0.30
0.328
0.12
3.30
2.65
3.30
1.40
1.325
0.975
0.65
0.50
0.011
1.50
0.049
2.75
0.098
0.38
0.009
马克斯。
1.00
0.05
分钟。
0.031
典型值。
0.035
0.0007
0.007
0.011
0.012
0.004
0.13
0.104
0.13
0.055
0.052
0.038
0.025
0.019
0.059
0.108
0.015
马克斯。
0.039
0.0019
寸
5/7
STL8NH3LL
N沟道30 V - 0.012
- 8的PowerFLAT
超低栅极电荷的STripFET MOSFET
初步数据
表1 ：一般特点
TYPE
STL8NH3LL
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.015
I
D
(1)
8A
V
DSS
30 V
典型
DS
（上） = 0.012
@ 10V
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(3.3x3.3)
描述
此应用程序特定的MOSFET是最新
GENERATION
of
意法半导体
独特
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT 封装
年龄允许一个显著的电路板空间节省，仍
提升性能。
（芯片级封装）
图2 ：内部原理图
应用
s
控制用FET降压转换器
顶视图
表2 ：订购代码
产品型号
STL8NH3LL
记号
L8NH3LL
包
PowerFLAT （ 3.3x3.3 ）
包装
磁带&卷轴
REV 2
2004年10月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知
1/7
STL8NH3LL
电气特性
（续）
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图3）
V
DD
= 15V ，我
D
= 8 A，V
GS
= 4.5 V
（见图5）
分钟。
典型值。
15
32
9
3.7
3
12
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
表8 ：开关
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5 V
（参见图3）
分钟。
典型值。
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(3)
V
SD
(5)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见图4）
24
17.4
1.45
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
（1）的值是在额定根据
THJ -C
（2）的值是在额定根据
THJ -A
（ 3 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ 4 ）当安装在最小的足迹
（ 5 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
3/7
STL8NH3LL
PowerFLAT （ 3.3x3.3 ）机械数据
mm.
DIM 。
分钟。
A
A1
A3
b
C
C1
D
D2
E
E2
F
F1
e
L
0.30
1.25
2.50
0.23
0.80
典型值
0.90
0.02
0.20
0.30
0.328
0.12
3.30
2.65
3.30
1.40
1.325
0.975
0.65
0.50
0.011
1.50
0.049
2.75
0.098
0.38
0.009
马克斯。
1.00
0.05
分钟。
0.031
典型值。
0.035
0.0007
0.007
0.011
0.012
0.004
0.13
0.104
0.13
0.055
0.052
0.038
0.025
0.019
0.059
0.108
0.015
马克斯。
0.039
0.0019
寸
5/7
QQ：2880707522 复制
