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STL85N6F3
N沟道60 V ， 0.0057
Ω
19的PowerFLAT 5x6至
,
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL85N6F3
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
I
D
< 0.0065
Ω
19 A
(1)
1
2
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
100％的雪崩测试
3
4
PowerFLAT 5x6至
应用
■
切换应用程序
描述
这n沟道增强型功率
从最新的细化MOSFET的好处
意法半导体独有的“单一特征尺寸”
条为基础的方法，其降低了临界
调整步骤，以提供卓越的
制造重复性。其结果是一个
晶体管具有非常高的填充密度为
低导通电阻，坚固耐用的雪崩
特性和低栅极电荷。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
85N6F3
包
PowerFLAT 5x6至
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL85N6F3
2011年7月
文档ID 15340第2版
1/15
www.st.com
15
目录
STL85N6F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
文档ID 15340第2版
STL85N6F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
I
D (3)
I
D(3)
P
TOT （1）
P
TOT （3）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
=25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
60
± 20
19
12
76
85
54
4
80
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -PCB
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.该值在额定根据
THJ -C
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件（漏） （稳态）
热阻结到环境
价值
1.56
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
文档ID 15340第2版
3/15
电气特性
STL85N6F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5A
2
0.0057 0.0065
分钟。
60
10
100
±
200
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
3050
659
38
49.8
14.6
12
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 30 V，I
D
= 19 A
V
GS
=10 V
（参见图14）
-
-
-
-
4/15
文档ID 15340第2版
STL85N6F3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30 V，I
D
= 9.5 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（参见图13）
分钟。
典型值。
21.8
14.3
38.4
7.1
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 19 A，V
GS
=0
I
SD
= 19 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 48 V ， TJ = 150℃
测试条件
民
-
-
-
-
53.6
120.1
4.5
典型值。
最大
19
76
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
文档ID 15340第2版
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