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STL80NF3LL
N沟道30V - 0.0045Ω - 80A PowerFLAT （ 6X5 ）
的STripFET II MOSFET
产品预览
表1 ：一般特点
TYPE
STL80NF3LL
■
■
■
■
■
■
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.0055
Ω
I
D
20 A (2)
V
DSS
30 V
典型
DS
（上） = 0.0045
Ω
@ 10V
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
PowerFLAT （引脚6x5 ）
描述
该STL80NF3LL利用第二代
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
”
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示导通电阻之间的最佳平衡点
tance和栅极电荷。这些特性使其成为
高效率的DC -DC转换器的最佳选择
电信和计算机行业。该芯片级
缩放PowerFLAT 封装允许显著
电路板空间节省，还是助推perfor-
曼斯。
图2 ：内部原理图
应用
高效率的DC -DC转换器
■
同步整流
■
顶视图
表2 ：订购代码
产品型号
STL80NF3LL
记号
L80NF3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
第3版
2005年6月
这是正在开发的新产品的初步信息。详细情况subjet更改，恕不另行通知
1/9
STL80NF3LL
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
(1)
I
D
(1)
I
DM
(3)
I
D
(2)
P
合计
(2)
P
合计
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子（ 2 ）
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
± 16
80
50
320
20
4
80
0.03
- 55 150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
表4 ：热数据
Rthj-
C
Rthj -印刷电路板（2）
热阻结到外壳（漏）
热工作结-PCB
1.56
31.3
° C / W
° C / W
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
1
0.0045
0.0055
0.0055
0.007
分钟。
30
1
10
± 10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
Ω
表6 ：动态
符号
g
fs
(4)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 10 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
37
2160
614
98
4.1
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
Ω
2/9
STL80NF3LL
电气特性
（续）
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 10 A
R
G
= 4.7Ω, V
GS
= 4.5V
（参见图15）
分钟。
典型值。
23.5
39
47.5
37
26
7
12
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 15V ，我
D
= 10 A，V
GS
= 4.5 V
（参见图17）
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(3)
V
SD
(4)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 15 V ，T
j
= 150°C
（参见图16）
39
45
2.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
（1）的值是在额定根据
THJ -C
.
（ 2 ）当安装在FR- 4电路板1in ， 2盎司铜。 ， t<10sec
（ 3 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（ 4 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
3/9
STL80NF3LL
图3 ：安全工作区
图6 ：热阻抗
图4 ：输出特性
图7 ：传输特性
图5：跨导
图8 ：静态漏源导通电阻
4/9
STL80NF3LL
图9 ：栅极电荷VS栅源电压
图12 ：电容变化
图10 ：归一门Thereshold电压
年龄与温度
图13 ：归BVDSS与温度
图11 ：归在电阻与温
perature
图14 ：源极 - 漏极二极管正向煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
5/9
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