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STL75NH3LL
N沟道30V， 0.004
20 A ， PowerFLAT （引脚6x5 ）
,
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL75NH3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
I
D
< 0.0057
20 A
(1)
1，这个值是根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
表1中。
设备简介
记号
L75NH3LL
包
PowerFLAT （6× 5）
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL75NH3LL
2008年6月
REV 1
1/12
www.st.com
12
目录
STL75NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL75NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D (2)
I
DM （3）
P
TOT(1)
P
TOT(2)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 16
75
47
20
12.5
80
60
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
2.该值是根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件（漏）最大
热阻结到PCB最大
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4基板的1英寸
2
， 2盎司铜，T < 10秒
3/12
电气特性
STL75NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
DS
= ± 16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
1
0.004
0.005
0.0057
0.0075
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
分钟。
典型值。
1810
565
41
18
4.8
5.3
0.5
1.5
24
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 4.5 V
（参见图14）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
3
4/12
STL75NH3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 10 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图16）
V
DD
= 15 V，I
D
= 10 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 20 V
（参见图15）
22
32
1.9
测试条件
民
典型值。
最大
20
80
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
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    STL75NH3LL
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ST/意法
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