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STL65N3LLH5
N沟道30 V , 0.0048
19 A - PowerFLAT (引脚6x5 )
,
的STripFET V功率MOSFET
特点
TYPE
STL65N3LLH5
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
<0.0058
I
D
19 A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB
R
DS ( ON)
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
PowerFLAT (引脚6x5 )
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
本产品采用了5
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
最低可用
DS ( ON)
*Q
g
在这种芯片规模
包,使该器件适合于大多数
苛刻的DC-DC转换器的应用,其中
高功率密度来实现。
表1中。
设备简介
记号
65N3LLH5
PowerFLAT (引脚6x5 )
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL65N3LLH5
2008年9月
转4
1/12
www.st.com
12
目录
STL65N3LLH5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL65N3LLH5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D (2)
I
DM(3)
P
TOT (1)
P
TOT (2)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 22
65
41
19
11.8
76
60
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
2.值的额定根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB ( 1 )
热阻
参数
热阻结案件(漏) (稳
状态)
热阻结到环境
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的, 2盎司铜,叔< 10秒
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流,
(脉冲宽度有限的TJ最大值)
单脉冲雪崩能量
(起始物为
J
= 25 ° C,I
D
= I
AV
, V
DD
= 24 V)
价值
8.5
180
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STL65N3LLH5
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±22 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 9.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 9.5 A
1
0.0048 0.0058
0.006 0.0075
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
=0
V
DD
= 15 V,I
D
= 19 A
V
GS
=4.5 V
(参见图14)
分钟。
典型值。
1500
295
39
12
4
4.7
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
4/12
STL65N3LLH5
电气特性
表7中。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
= 9.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
(参见图13)
分钟。
典型值。
9.3
14.5
22.7
4.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 19 A,V
GS
=0
I
SD
= 19 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 25 V , TJ = 150℃
25
17.5
1.4
测试条件
典型值。
最大
19
76
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/12
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