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STL60NH3LL
N沟道30 V - 0.0065
- 30 A - PowerFLAT (引脚6x5 )
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL60NH3LL
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
(最大)
<0.0085
I
D
16A
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装(最大1mm )
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省,
还是提高性能。
表1中。
设备简介
订货编号
STL60NH3LL
记号
L60NH3LL
PowerFLAT (6× 5)
包装
磁带&卷轴
2007年12月
REV 6
1/13
www.st.com
13
目录
STL60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STL60NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
DM (3)
P
TOT(1)
P
TOT(2)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
30
30
16
64
60
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制。
2.该值是根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
Rthj情况
热阻
参数
热阻结案件(漏)最大
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
1.当安装在FR-4基板的1英寸
2
, 2盎司立方, t<10sec
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
(首发TJ = 25 ° C, n = IAV )
价值
7.5
150
单位
A
mJ
3/13
电气特性
STL60NH3LL
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值, @ 125°C
V
DS
= ± 16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 8 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 8 A
1
0.0065 0.0085
0.0075 0.0105
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
分钟。
典型值。
1810
565
41
18
4.8
5.3
0.5
1.5
24
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
=0
V
DD
= 15 V,I
D
= 16 A,
V
GS
= 4.5 V
(参见图16)
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
3
4/13
STL60NH3LL
电气特性
表7中。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
= 8 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V,
(参见图15)
V
DD
= 15 V,I
D
= 8 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V,
(参见图15)
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1 )
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16 A,V
GS
= 0
I
SD
= 16 V,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ,T
j
= 25°C
(参见图17)
22
32
1.9
测试条件
分钟。
典型值。
最大
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/13
STL60NH3LL
N沟道30V - 0.0065Ω - 30A - PowerFLAT (引脚6x5 )
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL60NH3LL
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
<0.0085
I
D
16A
(2)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装(最大1mm )
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省,
还是提高性能。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STL60NH3LL
记号
L60NH3LL
PowerFLAT (6× 5)
包装
磁带&卷轴
2006年9月
第5版
1/13
www.st.com
13
目录
STL60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STL60NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
DM (3)
P
TOT(1)
P
TOT(2)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
30
30
16
64
60
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制。
2.该值是根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
Rthj情况
热阻
参数
热阻结案件(漏)最大
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
1.当安装在FR-4基板的1英寸
2
, 2盎司铜, t<10sec
3/13
电气特性
STL60NH3LL
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值, @ 125°C
V
DS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 8A
1
0.0065 0.0085
0.0075 0.0105
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
试验性条件
分钟。
典型值。
1810
565
41
18
4.8
5.3
0.5
1.5
24
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1MHz时, V
GS
=0
V
DD
= 15V ,我
D
= 16A,
V
GS
= 4.5V
(参见图15)
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
3
4/13
STL60NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ,我
D
= 8A
,
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V,
(参见图14)
V
DD
= 15V ,我
D
= 8A
,
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V,
(参见图14)
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1 )
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16A ,V
GS
= 0
I
SD
= 16V ,的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 20V ,T
j
= 25°C
(参见图16)
22
32
1.9
试验性条件
典型值。
最大
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/13
STL60NH3LL
N沟道30V - 0.0065Ω - 30A - PowerFLAT (引脚6x5 )
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL60NH3LL
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
<0.0085
I
D
16A
(2)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装(最大1mm )
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省,
还是提高性能。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STL60NH3LL
记号
L60NH3LL
PowerFLAT (6× 5)
包装
磁带&卷轴
2006年4月
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STL60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STL60NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
DM (3)
P
TOT(1)
P
TOT(2)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
30
30
16
64
60
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制。
2.该值是根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
Rthj情况
RthJ -PCB
(1)
热阻
参数
热阻结案件(漏)最大
热阻结到PCB最大
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4基板的1英寸
2
, 2盎司铜, t<10sec
3/13
电气特性
STL60NH3LL
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值, @ 125°C
V
DS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 8A
1
0.0065 0.0085
0.0075 0.0105
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
试验性条件
分钟。
典型值。
1810
565
41
18
4.8
5.3
0.5
1.5
24
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1MHz时, V
GS
=0
V
DD
= 15V ,我
D
= 16A,
V
GS
= 4.5V
(参见图15)
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
3
4/13
STL60NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ,我
D
= 8A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V,
(参见图14)
V
DD
= 15V ,我
D
= 8A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V,
(参见图14)
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1 )
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16A ,V
GS
= 0
I
SD
= 16V ,的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 20V ,T
j
= 25°C
(参见图16)
22
32
1.9
试验性条件
典型值。
最大
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STL60NH3LL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STL60NH3LL
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:287673858 复制

电话:0755-82533534
联系人:欧阳
地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区201栋316室
STL60NH3LL
ST
21+
2690
原封装
新到现货、一手货源、当天发货、价格低于市场
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
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联系人:朱先生
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