STL60NH3LL
N沟道30 V - 0.0065
- 30 A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL60NH3LL
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
（最大）
<0.0085
I
D
16A
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
表1中。
设备简介
订货编号
STL60NH3LL
记号
L60NH3LL
包
PowerFLAT （6× 5）
包装
磁带&卷轴
2007年12月
REV 6
1/13
www.st.com
13
目录
STL60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STL60NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
DM （3）
P
TOT(1)
P
TOT(2)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
30
30
16
64
60
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
并且通过引线键合的限制。
2.该值是根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
Rthj情况
热阻
参数
热阻结案件（漏）最大
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
1.当安装在FR-4基板的1英寸
2
， 2盎司立方， t<10sec
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAV ）
价值
7.5
150
单位
A
mJ
3/13
STL60NH3LL
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 8 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V,
（参见图15）
V
DD
= 15 V，I
D
= 8 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V,
（参见图15）
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16 A，V
GS
= 0
I
SD
= 16 V,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ，T
j
= 25°C
（参见图17）
22
32
1.9
测试条件
分钟。
典型值。
最大
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/13
STL60NH3LL
N沟道30V - 0.0065Ω - 30A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL60NH3LL
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0085
I
D
16A
(2)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STL60NH3LL
记号
L60NH3LL
包
PowerFLAT （6× 5）
包装
磁带&卷轴
2006年9月
第5版
1/13
www.st.com
13
目录
STL60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STL60NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
,
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V,
（参见图14）
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
,
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V,
（参见图14）
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16A ，V
GS
= 0
I
SD
= 16V ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 20V ，T
j
= 25°C
（参见图16）
22
32
1.9
试验性条件
民
典型值。
最大
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/13
STL60NH3LL
N沟道30V - 0.0065Ω - 30A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL60NH3LL
■
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0085
I
D
16A
(2)
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省，
还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STL60NH3LL
记号
L60NH3LL
包
PowerFLAT （6× 5）
包装
磁带&卷轴
2006年4月
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STL60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STL60NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V,
（参见图14）
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V,
（参见图14）
分钟。
典型值。
8
65
30
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16A ，V
GS
= 0
I
SD
= 16V ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 20V ，T
j
= 25°C
（参见图16）
22
32
1.9
试验性条件
民
典型值。
最大
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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