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STL55NH3LL
N沟道30 V , 0.0079
15 A , PowerFLAT (引脚6x5 )
,
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STL55NH3LL
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.0088
I
D
15 A
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装(最大1mm )
极低的热阻
栅电荷极低
低阈值设备
PowerFLAT(6x5)
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
最新一代的意法半导体独有的
“的STripFET ”技术。由此产生的晶体管
针对低导通电阻和最小优化
栅极电荷。芯片规模PowerFLAT
包允许一个显著的电路板空间节省,
还是提高性能。
表1中。
设备简介
记号
L55NH3LL
PowerFLAT (引脚6x5 )
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL55NH3LL
2008年5月
REV 3
1/14
www.st.com
14
目录
STL55NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/14
STL55NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D(3)
I
D(3)
I
DM(4)
I
D (5)
I
D (5)
P
TOT (5)
P
TOT (3)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
=100 °C
漏电流(脉冲)
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
=100 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 16
± 18
55
36
60
15
9.4
4
60
0.03
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间
15毫秒
3.该值在额定根据
THJ -C
4.脉冲宽度有限的安全工作区
5.值的额定根据
THJ -PCB
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB ( 1 )
热阻
参数
热阻结到外壳(漏)
热阻结到环境
价值
2.08
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的, 2盎司铜,叔< 10秒
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
(脉冲宽度有限的TJ最大值)
单脉冲雪崩能量
(首发TJ = 25 ° C,I
D
=I
AV
, V
DD
= 24 V , L = 6 MH)
价值
7.5
150
单位
A
mJ
3/14
电气特性
STL55NH3LL
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值@ 125
°C
V
GS
= ±16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 7.5 A
V
GS
= 8 V,I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7.5 A
1
0.0079
0.0079
0.009
分钟。
30
1
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
±
100
nA
V
2.5
0.0088
0.0088
0.0115
R
DS ( ON)
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
gs1
Q
gs2
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
PRE V
th
栅极 - 源
收费
邮政V
th
栅极 - 源
收费
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
=0
V
DD
= 15 V,I
D
= 15 A
V
GS
=4.5 V
(参见图16)
V
DD
= 15 V,I
D
= 15 A
V
GS
=4.5 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
分钟。
典型值。
965
285
38
9
3.7
3
2.5
1.2
12
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
R
G
0.5
1.5
2.5
4/14
STL55NH3LL
电气特性
表7中。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
= 7.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=4.5 V
(参见图18)
分钟。
典型值。
15
32
18
8.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 15 A,V
GS
=0
I
SD
=15 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 20 V , TJ = 150℃
(参见图17)
24
17.4
1.45
测试条件
典型值。
最大
15
60
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/14
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    -
    -
    -
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