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1300插座包装nm激光，
低功耗
STL 51007X
设计用于在光纤网络中的应用
与多量子阱结构的激光二极管
适用于比特率高达1 Gbit / s的
三元光电二极管在后视镜监控和
辐射功率控制
密封子，类似TO 18
SM插座与2-孔法兰
TYPE
STL 51007G
订购代码
Q62702-P3004
连接器/法兰
FC， 2孔
最大额定值
额定输出功率指的是SM光纤输出。的工作温度
副安装座是相同的情况下的温度。
参数
模块
工作温度范围为案例
存储温度范围
焊接温度
t
最大
= 10秒，从底部沿2毫米的距离
例
激光二极管
直接的正向电流
辐射功率CW
反向电压
监视二极管
反向电压
符号
值
单位
T
C
T
英镑
T
S
40
…
+ 85
40
…
+ 85
260
°C
°C
°C
I
F最大
Φ
e
120
1
2
mA
mW
V
V
R最大
V
R最大
10
V
半导体集团
1
02.95
STL 51007X
特征
所有的光学数据指的是耦合一百二十五分之十
m
单模光纤，
T
C
= 25 °C.
参数
激光二极管
光输出功率
的范围内发射波长中心
Φ
e
= 0.2毫瓦
光谱带宽
Φ
e
= 0.2毫瓦（ RMS）
阈值电流（ - 40
…
+ 85 °C)
正向电压
Φ
e
= 0.2毫瓦
辐射功率门限
坡英法fi效率
微分串联电阻
上升时间/下降时间
监视二极管
暗电流，
V
R
= 5 V,
Φ
e
= 0
光电流，
Φ
e
= 0.2毫瓦
Φ
e
λ
λ
> 0.4
1280
…
1330
<5
2
…
45
< 1.5
＆ LT ; 10
8
…
60
<8
<1
mW
nm
nm
mA
V
W
毫瓦/ A
ns
符号
值
单位
I
th
V
F
Φ
ETH
η
r
S
t
R
,
t
F
I
R
I
P
＆ LT ; 500
100
…
1000
nA
A
半导体集团
2
STL 51007X
激光二极管
单模光纤的辐射功率
相对辐射功率
Φ
e
=
f
(λ)
400
100
90
在MikroW光功率
300
相对光功率
0
5
10
15
20
在mA正向电流
80
70
60
50
40
30
20
10
200
100
0
0
1306 1308 1310 1312 1314
波长为nm
激光正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
监视二极管暗电流
I
R
=
f
(
T
A
)
Φ
PORT
= 0,
V
R
= 5 V
100
90
在mA正向电流
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
在V正向电压
在nA的暗电流
1000
100
10
1
0.1
0.01
-50
0
50
100
在° C温度
半导体集团
3
STL 51007X
封装图（单位：mm ）
STL 51007X
半导体集团
4
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