STL28NF3LL
N沟道30V - 0.0055Ω - 28A PowerFLAT
低栅电荷的STripFET MOSFET
初步数据
TYPE
STL28NF3LL
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.0065
I
D
28 A
典型
DS
（上） = 0.0055Ω
改进DIE - TO-足迹比
非常低调包装
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有的“的STripFET ”技
GY 。由此产生的晶体管显示了极低的导通
电阻和最小的栅极电荷。新Pow-
erFLAT 封装允许显著降低
电路板空间而不会影响性能。
PowerFLAT(5x5)
（芯片级封装）
内部原理图
应用
s
DC- DC转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(#)
I
DM
( )
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
± 16
28
17.5
112
80
0.64
2
-55到150
（ 1 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 14A ，V
DD
= 18V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
J
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
（ ＃ ）通过引线键合有限公司
2002年11月
1/6
STL28NF3LL
热数据
Rthj情况
Rthj -PCB （ ＃ ）
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
1.56
31.2
° C / W
° C / W
（ * ）当安装在1inch FR4板，铜，T 2盎司
≤
10秒。
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14A
分钟。
1
0.0055
0.0065
0.0065
0.0095
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 14 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
32
2780
890
195
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/6
STL28NF3LL
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 14 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 15 V，I
D
= 28 A,
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
25
82
32
13
18
43
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 14 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5 V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
42
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复
ChargeReverse恢复
当前
I
SD
= 28 A，V
GS
= 0
I
SD
= 28 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 25 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
50
82
3.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
28
112
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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