STL17N3LLH6
N沟道30 V , 0.0038
Ω
17的PowerFLAT ( 3.3x3.3 )
,
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
订货编号
STL17N3LLH6
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
马克斯。
0.0045
Ω
I
D
17 A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
R
DS ( ON)
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS ( ON)
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
极低的开关栅极电荷
图1 。
PIN- Out配置
1
2
3
4
S
S
S
G
PowerFLAT ( 3.3× 3.3 )
应用
切换应用程序
描述
本产品采用了6
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则,
用新的栅结构。由此产生的力量
MOSFET表现出低R
DS ( ON)
在一个标准的
包,这使得它适合于最
苛刻的DC-DC转换器的应用,其中
高功率密度必须达到。
D
8
D
7
D
6
D
5
底部视图
表1中。
设备简介
记号
17N3L
包
PowerFLAT ( 3.3× 3.3 )
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL17N3LLH6
2010年11月
文档ID 15535牧师3
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13
目录
STL17N3LLH6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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文档ID 15535牧师3
STL17N3LLH6
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT (3)
P
TOT (1)
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 20
17
11
68
50
2
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃,
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -PCB
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.该值在额定根据
THJ -C
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB ( 1 )
R
thj-pcb(2)
热阻
参数
热阻结案件(漏) (稳态)
热阻结到PCB
热阻结到PCB
价值
2.5
42.8
63.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的, 2盎司铜,叔< 10秒
2.稳态
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电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A,V
GS
= 0
I
SD
= 17 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 25 V
测试条件
分钟。
-
-
-
-
24
16.8
1.4
典型值。
马克斯。
17
68
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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