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STL150N3LLH6
N沟道30 V ， 0.0016
,
33，一场PowerFLAT （引脚6x5 ）
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
TYPE
STL150N3LLH6
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
0.0024
I
D
33 A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
极低的开关栅极电荷
PowerFLAT （引脚6x5 ）
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
本产品采用了6
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则，
用新的门structure.The所得功率
MOSFET表现出低R
DS （ ON）
所有
包。
表1中。
设备简介
记号
150N3LLH6
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL150N3LLH6
2009年9月
文档ID 15345第2版
1/12
www.st.com
12
目录
STL150N3LLH6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
......................... 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
文档ID 15345第2版
STL150N3LLH6
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D (2)
I
DM(3)
P
TOT （1）
P
TOT （3）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 20
150
93
33
20.8
132
80
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
2.值的额定根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件（漏） （稳态）
热阻结到环境
价值
1.56
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流，
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AV
)
价值
20
200
单位
A
mJ
文档ID 15345第2版
3/12
电气特性
STL150N3LLH6
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 16.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 16.5 A
1
0.0016
0.0025
0.0024
0.0035
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
分钟。
典型值。
4040
740
425
40
16.3
15.8
1.4
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 33 A
V
GS
=4.5 V
（参见图14）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
-
-
-
-
-
-
4/12
文档ID 15345第2版
STL150N3LLH6
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 16.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图13）
分钟。
典型值。
17
18
75
46
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 33 A，V
GS
=0
I
SD
= 33 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
=25 V
测试条件
分钟。
-
-
-
-
34
35
2.1
典型值。
马克斯。
33
132
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
文档ID 15345第2版
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