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STL140N4LLF5
N沟道40 V ， 0.00275
32 A， PowerFLAT （ 5×6 ）
,
的STripFET V功率MOSFET
初步数据
特点
TYPE
STL140N4LLF5
V
DSS
40 V
R
DS （ ON）
最大
0.00275
I
D
32 A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB 。
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
PowerFLAT （ 5×6 ）
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
该STL140N4LLF5是一个N沟道
的STripFET V功率MOSFET这已经
设计，以达到非常低的导通电阻
还提供最佳的一流的数字中的一个
优点（ FOM ） 。
表1中。
设备简介
记号
140N4LLF5
包
PowerFLAT （ 5×6 ）
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL140N4LLF5
2010年6月
文档ID 17586牧师1
1/10
www.st.com
10
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STL140N4LLF5
目录
1
2
3
4
5
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
.............................................. 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
2/10
文档ID 17586牧师1
STL140N4LLF5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D (3)
I
DM(3)
P
TOT （1）
P
TOT （2）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
40
± 22
140
88
32
20
128
80
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值在额定根据
THJ -C
2.值的额定根据
THJ -PCB
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件（漏） （稳态）
热阻结到环境
价值
1.56
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流，
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AV
, V
DD
= 24 V)
价值
待定
待定
单位
A
mJ
文档ID 17586牧师1
3/10
电气特性
STL140N4LLF5
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±22 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 16 A
1
0.0021 0.00275
0.0024 0.0031
分钟。
40
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 32 A
V
GS
= 4.5 V
（参见图3）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
-
-
分钟。
典型值。
5900
870
130
45
待定
待定
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
-
-
门输入电阻
待定
-
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 16 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图2）
-
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
4/10
文档ID 17586牧师1
STL140N4LLF5
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 32 A，V
GS
=0
I
SD
= 32 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 25 V
-
测试条件
民
-
-
-
待定
待定
待定
典型值。
最大
18
72
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
文档ID 17586牧师1
5/10
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