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STL120NH02V
N沟道20V - 0.0025Ω - 120A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
的STripFET III功率MOSFET
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STL120NH02V
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
<0.003
I
D
28A
(1)
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
■
■
■
■
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
传导损耗而有所降低
2.5V栅极驱动
开关损耗而有所降低
门槛很低设备
（芯片级封装）
描述
该STL120NH02V采用了最先进的
意法半导体独有的STripFET 设计规则
技术。由于非常低的阈值，它是
适用于同步降压转换器中的点
装载砖模块。芯片规模
PowerFLAT 封装允许显著板
节省空间，还是提高性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STL120NH02V
记号
L120NH02V
包
PowerFLAT
TM
(6x5)
包装
磁带&卷轴
2006年9月
REV 2
1/10
www.st.com
10
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
目录
STL120NH02V
目录
1
2
3
4
5
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
2/10
STL120NH02V
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
I
D(2)
P
TOT(2)
P
TOT(3)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
20
±8
120
75
480
28
100
4
0.03
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
j
T
英镑
2.
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
当安装在FR-4板1in的， 2盎司铜。 t<10sec
3.该值在额定根据
THJ -C
.
表2中。
Rthj情况
热数据
热阻结案件（漏） （稳态）
1.56
31.2
° C / W
° C / W
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
1.当安装在FR-4板1in的， 2盎司铜。 t<10sec
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
待定
单位
A
mJ
3/10
电气特性
STL120NH02V
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 14A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 14A
0.60
0.0025
0.003
0.003
0.004
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 16V ，我
D
= 14A
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
33
待定
待定
44
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 10V ，我
D
= 14A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图1）
V
DD
= 10V ，我
D
= 28A,
V
GS
= 2.5V ，R
G
= 4.7
（见
图2）
F = 1MHz的直流门
偏压= 0测试信号
等级= 20mV的
漏极开路
R
G
门输入电阻
1.8
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/10
STL120NH02V
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 28A ，V
GS
= 0
待定
待定
待定
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
28
112
待定
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 28A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 16V
反向恢复电流（见
图3）
反向恢复时间
I
SD
= 28A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 16V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图3）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/10
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