STL100NH3LL
N沟道30V - 0.0032Ω - 25A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STL100NH3LL
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0035
I
D
25A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
PowerFLAT （引脚6x5 ）
描述
该系列采用了先进的最后设计规则
意法半导体独有的STripFET 技术。这
过程完成，以独特的金属化
技术实现了最先进的低电压
功率MOSFET的PowerFLAT （引脚6x5 ） 。该芯片级
缩放PowerFLAT 封装允许显著
电路板空间节省，还是提振
性能。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STL100NH3LL
记号
L100NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
2007年1月
第9版
1/12
www.st.com
12
目录
STL100NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL100NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D(3)
I
D (3)
I
D (5)
I
DM(4)
I
D(5)
P
TOT （3）
P
TOT （5）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 16
± 18
100
71
15.6
100
25
80
4
0.03
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间为15ms <
3.该值在额定根据
THJ -C
4.脉冲宽度有限的安全工作区
5.值的额定根据
THJ -PCB
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件（漏） （稳态）
热阻结到环境
价值
1.56
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表3中。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流，
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAV ， VDD = 24V）
价值
12.5
1.3
单位
A
J
3/12
电气特性
STL100NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 12.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12.5A
1
0.0032 0.0035
0.004 0.005
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 12.5A
分钟。
典型值。
30
4450
655
50
30
12.5
10
40
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 25A
V
GS
=4.5V
（参见图7 ）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
1
2
3
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STL100NH3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 12.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图13）
分钟。
典型值。
18
50
75
8
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 25A ，V
GS
=0
I
SD
=25A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 25V ， TJ = 150℃
32
34
2.1
测试条件
民
典型值。
最大
25
100
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STL100NH3LL
N沟道30 V - 0.0032
- 25 A - PowerFLAT （引脚6x5 ）
的STripFET III功率MOSFET
特点
TYPE
STL100NH3LL
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
<0.0035
I
D
25A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
改进DIE - TO-足迹比
非常低调包（1毫米为最大）
极低的热阻
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
PowerFLAT （引脚6x5 ）
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
该系列采用了先进的最后设计规则
意法半导体独有的STripFET 技术。这
过程完成，以独特的金属化
技术实现了最先进的低电压
功率MOSFET的PowerFLAT （引脚6x5 ） 。该芯片级
缩放PowerFLAT 封装允许显著
电路板空间节省，还是提振
性能。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
L100NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带和卷轴
STL100NH3LL
2008年3月
转11
1/12
www.st.com
12
目录
STL100NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STL100NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS(1)
V
GS(2)
I
D(3)
I
D (3)
I
D (5)
I
DM(4)
I
D(5)
P
TOT （3）
P
TOT （5）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 16
± 18
100
71
15.6
100
25
80
4
0.03
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间
≤
15ms
3.该值在额定根据
THJ -C
4.脉冲宽度有限的安全工作区
5.值的额定根据
THJ -PCB
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件（漏） （稳态）
热阻结到环境
价值
1.56
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
=7.5 A)
价值
7.5
150
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STL100NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.5 A
1
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2.5
0.0032 0.0035
0.004 0.005
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10 V，I
D
= 12.5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 25 A
V
GS
=4.5 V
（参见图8）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
分钟。
典型值。
30
4450
655
50
30
12.5
10
40
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
门输入电阻
1
2
3
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
4/12
STL100NH3LL
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 12.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图14）
分钟。
典型值。
18
50
75
8
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 25 A，V
GS
=0
I
SD
=25 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 25 V ， TJ = 150℃
32
34
2.1
测试条件
民
典型值。
最大
25
100
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STL100NH3LL
N沟道30V - 0.0032Ω - 25A PowerFLAT （引脚6x5 ）
的STripFET III MOSFET
产品预览
表1 ：一般特点
TYPE
STL100NH3LL
■
■
■
■
■
■
图1 ：包装
R
DS （ ON）
I
D
25 A (1)
V
DSS
30 V
< 0.0035
典型
DS
（上） = 0.0032Ω @ 10V
改进DIE - TO-足迹比
非常低调封装（最大1mm ）
极低的热阻
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
PowerFlat （引脚6x5 ）
描述
该STL100NH3LL采用了最先进的
意法半导体独有的STripFET 技的设计规则
术。这个过程完成，以独特的metalliza-
化技术，实现了最先进的低
在PowerFLAT （引脚6x5 ）电压MOSFET 。该芯片级
缩放PowerFLAT 封装允许显著
电路板空间节省，还是助推perfor-
曼斯。
图2 ：内部原理图
应用
■
高效率的DC -DC转换器
■
同步整流
表2 ：订购代码
销售类型
STL100NH3LL
记号
L100NH3LL
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带&卷轴
第4版
2005年10月
这是正在开发的新产品的初步信息。详细情况subjet更改，恕不另行通知
1/10
STL100NH3LL
电气特性
（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(5)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
,
I
D
=12,5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
30
4450
655
50
18
50
75
8
30
12.5
10
1
2
40
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 15 V，I
D
= 12.5 A,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图15）
V
DD
= 15V ，我
D
= 25 A,
V
GS
= 4.5V
（参见图17）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
3
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(3)
V
SD
(4)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 25 A，V
GS
= 0
I
SD
= 25 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 25 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图16 ）
32
34
2.1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
25
100
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注意：
（1）该值是根据
THJ -PCB
（2）的值是根据
THJ -C
（ 3 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
（4）当安装在FR-4板1
2
， 2盎司铜，T < 10秒
（5 ）脉冲：脉冲持续时间= 300
微秒，占空比1.5 ％
3/10
QQ：2880707522 复制
