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半导体
STK7002U
N沟道增强型MOSFET
描述
高速开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
电压控制的小信号开关
高饱和电流能力。
订购信息
型号
STK7002U
记号
K72
封装代码
SOT-323
外形尺寸
2.0~2.2
1.2~1.3
单位：
mm
1
1.8~2.2
1.2~1.4
3
0.2~0.4
2
0.8~1.0
0~0.1
0.1分钟。
0.1~0.2
引脚连接
1.门
2.源
3.排水
KST-3069-002
1
STK7002U
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
漏电流脉冲
功耗
最大结点到环境
工作结
存储温度范围
* PW
≤
10
,
占空比
≤
1%
(Ta=25°C)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DP
*
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
评级
60
±20
115
800
200
625
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
Drian源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
* PW
≤
300
,
占空比
≤
1%
(Ta=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
*
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
测试条件
I
D
= 10μA ，V
GS
=0
I
D
= 0.25毫安，V
DS
=V
GS
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
DS
= 10V ，我
D
=0.2A
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
60
1
-
-
-
-
80
-
-
-
-
2.0
-
-
3.2
2.4
-
22
11
2
7
11
-
2.5
1
±100
7.5
7.5
-
50
25
5
20
20
单位
V
V
A
nA
mS
pF
V
DD
= 30V ，我
D
=0.2A
V
GS
= 10V ，R
G
=25
-
-
ns
ns
KST-3069-002
2
STK7002U
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
图。 4个C - V
DS
图。 5 V
GS
- Q
g
图。 6 R
DS （ ON）
- T
J
KST-3069-002
3
STK7002U
图。 7 R
DS （ ON）
- V
GS
图。 8我
S
- V
SD
图。 9 V
GS （ TH）
- T
J
KST-3069-002
4
STK7002U
这些AUK产品用于使用一般的电子设备（办公室和
通信设备，测量设备，国内电气化等） 。
请确保您与我们协商，然后再在equipm-使用这些AUK产品前
ents需要高品质和/或可靠性，并在设备，而可能
主要影响到人类生活（原子能控制，飞机，飞船，交通福利
信号，燃烧中心，所有类型的安全装置，等等）。
AUK不能接受赔偿责任可能发生的情况下，这些AUK产品的任何损坏
用于在上述设备没有与AUK事先咨询。
KST-3069-002
5
STK7002U
N沟道增强型MOSFET
描述
高速开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
电压控制的小信号开关
高饱和电流能力。
订购信息
型号
STK7002U
记号
K72
□
①
②
设备
CODE
③Year&Week
CODE
封装代码
SOT-323
引脚连接
1
3
G
D
2
S
1.门
2.源
3.排水
KSD-T5D016-001
1
STK7002U
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
漏电流脉冲
功耗
最大结点到环境
工作结
存储温度范围
* PW
≤
10
,
占空比
≤
1%
(Ta=25C)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DP
*
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
评级
60
20
115
800
200
625
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
C
电气特性
特征
Drian源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
* PW
≤
300
,
占空比
≤
1%
(Ta=25C)
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
*
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
测试条件
I
D
= 10μA ，V
GS
=0
I
D
= 0.25毫安，V
DS
=V
GS
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=0V, V
GS
=20V
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
DS
= 10V ，我
D
=0.2A
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
60
1
-
-
-
-
80
-
-
-
-
2.0
-
-
3.2
2.4
-
22
11
2
7
11
-
2.5
1
100
7.5
7.5
-
50
25
5
20
20
单位
V
V
A
nA
mS
pF
V
DD
= 30V ，我
D
=0.2A
V
GS
= 10V ，R
G
=25
-
-
ns
ns
KSD-T5D016-001
2
STK7002U
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
图。 4个C - V
DS
图。 5 V
GS
- Q
g
图。 6 R
DS （ ON）
- T
J
KSD-T5D016-001
3
STK7002U
图。 7 R
DS （ ON）
- V
GS
图。 8我
S
- V
SD
图。 9 V
GS （ TH）
- T
J
图。 10安全工作区
*
KSD-T5D016-001
4
STK7002U
图。 11栅极电荷测试电路波形&
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
KSD-T5D016-001
5
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SN74LVC112ADGVRE4
SQS16B51R0JL13
SMAJ30(C)A
SN74F521DWR
S553-5999-31
S221K25X7RN6J5
SAA5264PS
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STK7002U
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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STK7002U
AUK
2019
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SOT-323
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STK7002U
AUK
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地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STK7002U
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
STK7002U
AUK
2406+
3000
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
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STK7002U
AUK
2024
26000
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