【半导体STK7002FN沟道增强型MOSFET描述高速开关应用。特点高密度电池设计低RDS （ ON】,IC型号STK7002F,STK7002F PDF资料,STK7002F经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

STK7002F

N沟道增强型MOSFET

描述

高速开关应用。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

.

电压控制的小信号开关

高饱和电流能力。

订购信息

型号

STK7002F

记号

K702

封装代码

SOT-23F

外形尺寸

单位：

mm

2.3~2.5

1.5~1.7

1

1.90 BSC

2.8~3.0

3

2

0.35~0.45

0.1~0.2

KST-2138-001

0.8~1.0

0~0.1

引脚连接

1.门

2.源

3.排水

1

STK7002F

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流

漏电流脉冲

功耗

最大结点到环境

工作结

存储温度范围

* PW

≤

10

,

占空比

≤

1%

(Ta=25°C)

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DP

*

P

D

R

thJA

T

J

, T

英镑

评级

60

±20

115

800

200

625

-55~150

单位

V

V

mA

mA

mW

° C / W

°C

电气特性

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

漏源导通电阻

正向跨.conductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

* PW

≤300

,

占空比

≤1%

(Ta=25°C)

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

*

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

ON

t

关闭

测试条件

I

D

=10

,

V

GS

=0

I

D

=0.25

,

V

DS

=V

GS

V

DS

=60V, V

GS

=0

V

DS

=0V, V

GS

=±20V

V

GS

= 5V ，我

D

=50mA

V

GS

= 10V ，我

D

=500mA

V

DS

= 10V ，我

D

=0.2A

V

DS

=25V, V

GS

= 0中，f = 1MHz的

分钟。典型值。马克斯。

60

1

-

-

-

-

80

-

-

-

-

2.0

-

-

3.2

2.4

-

22

11

2

7

11

-

2.5

1

±100

7.5

7.5

-

50

25

5

20

20

单位

V

V

A

nA

mS

pF

V

DD

= 30V ，我

D

=0.2A

V

GS

= 10V ，R

G

=25

-

-

ns

ns

KST-2138-001

2

STK7002F

电气特性曲线

图。 1 I

D

- V

DS

图。 2我

D

- V

GS

图。 3 R

DS （ ON）

- I

D

图。 4个C - V

DS

图。 5 V

GS

- Q

g

图。 6 R

DS （ ON）

- T

J

KST-2138-001

3

STK7002F

图。 7 R

DS （ ON）

- V

GS

图。 8我

S

- V

SD

图。 9 V

GS （ TH）

- T

J

KST-2138-001

4

STK7002F

这些AUK产品用于使用一般的电子设备（办公室和

通信设备，测量设备，国内电气化等）。

请确保您与我们协商，然后再在equipm-使用这些AUK产品前

ents需要高品质和/或可靠性，并在设备，而可能

主要影响到人类生活（原子能控制，飞机，飞船，交通福利

信号，燃烧中心，所有类型的安全装置，等等）。

AUK不能接受赔偿责任可能发生的情况下，这些AUK产品的任何损坏

用于在上述设备没有与AUK事先咨询。

KST-2138-001

5

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