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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1624页 > STK7000
半导体
STK7000
N沟道增强型MOSFET
描述
高速开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
电压控制的小信号开关
高饱和电流能力。
订购信息
型号
STK7000
记号
STK7000
封装代码
TO-92
外形尺寸
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
单位：
mm
4.5±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 （典型值）
.
2.54 TYP
.
1 2 3
引脚连接
1.源
2.门
3.排水
0.38
1.20±0.1
KST-9078-003
1
STK7000
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
漏电流脉冲
功耗
最大结点到环境
工作结
存储温度范围
（ TA = 25 ° C）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
评级
60
±20
200
500
400
312.5
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
Drian源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
通态漏电流*
漏源导通电阻*
漏源导通电阻*
正向跨导*
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
（ TA = 25 ° C）
符号
BV
DSS
V
GS （T八）
I
DSS
I
GSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
测试条件
I
D
= 10μA ，V
GS
=0
I
D
= 1mA时， V
DS
=V
GS
V
DS
=48V, V
GS
=0
V
DS
=0V, V
GS
=±15V
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.075A
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
T
J
=125℃
V
DS
= 10V ，我
D
=0.2A
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DD
= 15V ，我
D
=0.5A
V
根
= 10V ，R
G
=25
V
DD
= 15V ，我
D
=0.5A
V
根
= 10V ，R
G
=25
分钟。
60
0.8
-
-
75
-
-
-
100
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.1
-
-
350
4.5
2.4
4.4
-
22
11
2
-
-
马克斯。
-
3.0
1
±100
-
5.3
5.0
9.0
-
60
25
5
10
10
单位
V
V
A
nA
mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
* 。脉冲测试：脉冲width≤300us ，职务cycle≤2.0 ％
KST-9078-003
2
STK7000
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
图。 4个C - V
S
图。 5 V
GS
- Q
g
图。 6 R
DS （ ON）
- T
J
KST-9078-003
3
STK7000
图。 7 R
DS （ ON）
- V
GS
图。 8我
S
- V
SD
图。 9 V
GS （ TH）
- T
J
图。 1 I
D
- V
DS
KST-9078-003
4
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SN54LV21A
SG3731
SPEAR-09-H022_06
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    STK7000
    -
    -
    -
    -
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