订购数量: EN4388A
厚膜混合集成电路
STK4024V
AF电源放大器器(分体式电源)
( 20瓦分钟, THD = 0.08 % )
特点
紧凑的封装支持更轻薄的设计集(最多
到70瓦)
系列从设计的20至100瓦( 200瓦)和引脚
相容性( 120 200W的有18个引脚)
更简单的散热设计有利于散热设计
超薄音响套
电流镜电路的应用降低了失真
0.08%
支持除电子电路的热的
关闭和负载短路保护电路以及
即当电源杂音屏蔽
开关接通和关断
包装尺寸
单位:mm
4062
[STK4024V]
特定网络阳离子
最大额定值
在Ta = 25℃
参数
最大电源电压
热阻
结温
工作衬底温度
储存温度
可用的时间用于负载短路
符号
V
CC
最大
θJ -C
Tj
Tc
TSTG
ts
*1
V
CC
= ± 24.5 V ,R
L
= 8
,
F = 50赫兹,磷
O
= 20 W
条件
评级
±37
2.6
150
125
-30到+125
2
单位
V
° C / W
°C
°C
°C
s
推荐工作电压
在Ta = 25℃
参数
推荐电源电压
负载电阻
符号
V
CC
R
L
条件
评级
±24.5
8
单位
V
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京,日本110
N3096HA ( OT ) / 31993YO 5-2190号4388-1 / 5
STK4024V
工作特性
在Ta = 25 ° C,V
CC
= ± 24.5 V ,R
L
= 8
,
VG = 40 dB时, RG = 600
,
100多K LPF ON ,R
L
(非诱导)
参数
静态电流
输出功率
总谐波失真
频率响应
输入阻抗
输出噪声电压
中性点电压
符号
I
CCO
P
O
(1)
P
O
(2)
THD
f
L
, f
H
r
i
V
NO
*2
V
N
V
CC
= ±29.5 V
THD = 0.08%中,f = 20Hz到20kHz的
V
CC
= ± 21.5V , THD = 0.2 % ,R
L
= 4
,
F = 1千赫
P
O
= 1.0 W,F = 1千赫
+0
dB
–3
P
O
= 1.0 W,F = 1千赫
P
O
= 1.0 W,
V
CC
= ± 29.5 V ,R
g
=10 k
V
CC
= ±29.5 V
–70
0
20 50K
55
1.2
+70
条件
民
15
20
20
0.08
典型值
最大
120
单位
mA
W
W
%
Hz
k
毫伏有效值
mV
注意:为测试使用的额定电源,除非另有规定。
*1
*2
当测量容许负载短的时间内,输出噪声电压使用变压器供电如下所示。
输出噪声电压表示的均方根规模( VTVM )的峰值。的噪声电压的波形不包括脉冲噪声。
等效电路
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STK4024V
外部部件说明
:输入滤波电路
R
1
, C
1
减少高频噪声。
C
2
:输入耦合电容
直流电流抑制。在电抗的减少是因为增加的电容有效
电抗在低频率和1 / f噪声的依赖于信号源的电阻,这导致
输出噪声恶化。
:输入偏置电阻器
R
2
偏置输入引脚为零。
效果V
N
稳定性(参见NF电路) 。
由于差分输入,输入电阻是更多或更少的由该电阻值来确定。
R
4
, R
5
: NFB电路( AC NF回路) 。采用电阻与1 %的误差,建议。
C
3
(R
2
)
R
3
R
6
, R
7
R
7
, C
4
C
6
, C
9
C
8
C
5
R
8
, C
10
R
9
, C
13
C
11
, C
12
:
:
:
:
:
:
:
:
:
VG设置是基于R获得
4
和R
5
根据下面的等式:
R
log20 ·
5
40分贝建议。
4
低频截止频率设置是基于R获得
4
和C
3
根据以下
公式:
1
f
L
=
[赫兹]
2π·R
4
·C
3
当改变VG设置,你应该更换R
4
这就要求低截止的复检
频率设定。当VG设置基于R改变
5
的设置应确保
2
等于
5
so
即V
N
平衡的稳定性得以保持。如果电阻值增加超过现有的值,
V
N
平衡可能会受到干扰,并导致Ⅴ的恶化
N
温度特性。
差是恒定电流偏置电阻
对于振荡抑制和相位补偿的应用
(对于差动级应用)
对于振荡抑制和相位补偿的应用
(聚酯薄膜电容建议对C
4
与输出级应用)
对于振荡抑制和相位补偿的应用
功率级(必须靠近引脚连接)
C
6
:阳性( + )电源
C
9
:阴性( - )电源
对于振荡抑制和相位补偿的应用
(功率步进片段之前振荡抑制)
对于振荡抑制,失真改善应用程序
上的正(+ )侧波滤波器电路。
( - )侧的负波滤波器电路。
对于振荡抑制的应用
用于降低电源阻抗稳定IC的工作,并应靠近IC连接
引脚。我们建议您使用电解电容。
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STK4024V
s
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这可能直接或间接导致人身伤害,死亡或财产损失。
s
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x
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