STK22C48
2Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
自动非易失性
商店
电力损耗
- 非易失性
商店
在硬件控制
自动
召回
到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万
商店
周期
100年非易失性数据保留
单5V ±10 ％工作
商业，工业，军事
温度
28引脚300密耳SOIC或330密耳SOIC （ RoHS-
兼容）
描述
该SIMTEK STK22C48是一个16Kb的快速静态RAM与
包括非易失性量子阱存储元件
与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性，和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
商店
和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CCx中
V
帽
量子阱
32 x 512
动力
控制
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
32 x 512
召回
商店/
召回
控制
HSB
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0004版本0.3
2007年2月
STK22C48
销刀豆网络gurations
V
帽
NC
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CCx中
W
HSB
A
8
A
9
NC
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28引脚300密耳SOIC
28引脚330密耳SOIC
引脚名称
引脚名称
A
10
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
V
SS
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
电源
I / O
描述
地址： 11地址输入的nvSRAM阵列中选择2048字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 5.0V ， ±10 ％
地
文件控制＃ ML0004版本0.3
2007年2月
2
STK22C48
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并且该装置的条件下的功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
参数
民
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
自动存储在当前
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
0
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
70
–40
85
65
3
10
2
25
18
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
85
最大
民
90
65
3
10
2
26
19
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
最大
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
I
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
I
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
E
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
被连接到
地面上。
5.0V
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
符号
C
IN
C
OUT
f
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
参数
输入电容
输出电容
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1
:
AC输出负载
文件控制＃ ML0004版本0.3
2007年2月
3
STK22C48
符号
号
#1
14
15
16
17
18
19
20
21
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ I，J
t
WHQX
#2
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK22C48-25
STK22C48-45
单位
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注K： é或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
注L： HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
K，L
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
K，L
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制＃ ML0004版本0.3
2007年2月
5
STK22C48
2K ×8
自动存储
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
为20ns ， 25ns的，为35ns ，并为45nS访问时间
“放手”自动
商店
与外部
68μF电容在电源关闭
商店
到EEPROM通过硬件启动或
自动存储
在掉电
自动
召回
上电时
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在EEPROM中
单5V ±10 ％工作
不敏感，电源开/关斜坡价格
从冲无数据丢失
商业和工业温度
28引脚DIP和SOIC封装
描述
该SIMTEK STK22C48是一个快速静态
内存
与一位
非易失性，电可擦
舞会
元素
在每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的，非易失性的数据驻留在
EEPROM
。从数据传输
SRAM
对
EEPROM
（该
商店
操作）可能发生
在自动关闭电源。一个68μF或更大
从V电容器绑
帽
地保证
商店
操作，无论掉电摆
率或功率从“热插拔”的损失。转让
从
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作
化）自动进行的恢复
力。硬件
商店
可以与启动
HSB引脚。
框图
V
CCx中
V
帽
动力
控制
销刀豆网络gurations
V
帽
NC
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
EEPROM阵列
32 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
32 x 512
召回
商店/
召回
控制
HSB
V
CCx中
W
HSB
A
8
A
9
NC
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 300 SOIC
28 - 350 SOIC
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
引脚名称
A
0
- A
10
DQ
0
-DQ
7
E
W
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
五金店忙（ I / O）
电源（+ 5V）的
电容
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
G
HSB
V
CCx中
V
帽
V
SS
1999年7月
3-21
STK22C48
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.6V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC
c
1
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
B，F
产业
单位
民
最大
95
85
75
65
3
10
2
30
25
21
18
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
85
民
最大
不适用
90
75
65
3
10
2
不适用
26
22
19
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 20ns的
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 20ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
d
2
I
CC c
3
I
CC
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
I
CC
I
SB
d
4
e
1
I
SB
e
2
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
注F：
该STK22C48-20需要V
CC
= 5.0V
±
5 ％供应到特定网络版的速度运行。
I
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
I
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
4
E
≥
2
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
5.0V
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
符号
C
IN
C
OUT
g
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
参数
输入电容
输出电容
注G：这些参数是保证，但未经测试。
图1
:
AC输出负载
1999年7月
3-22
STK22C48
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ J，K
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
20
15
15
8
0
15
0
0
7
5
最大
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK22C48-20
STK22C48-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
B，F
STK22C48-35
STK22C48-45
单位
注K：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注升：电子或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
注M： HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
L，M
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
L，M
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
1999年7月
3-24
STK22C48
硬件模式选择
E
H
L
L
X
W
X
H
L
X
HSB
H
H
H
L
A
12
- A
0
（十六进制）
X
X
X
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
非易失性
商店
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
l
CC
2
笔记
o
n
注N： HSB
商店
操作时，如果只有一个SRAM写入了自上次非易失性周期完成。后
商店
（如果有的话）完成后，将
部分将进入待机模式，抑制了所有的操作，直到HSB上升。
注意O：I / O状态，假设摹< V
IL
。非易失性周期的激活不依赖于G的状态
五金
商店
周期
符号
号
标准
22
23
24
25
26
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
HLHX
t
HLBL
备用
t
HLHZ
t
HLQZ
t
HHQX
商店
循环时间
时间可以完成SRAM周期
五金
商店
高抑制关
五金
商店
脉冲宽度
五金
商店
低到存储忙
参数
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
B，F
STK22C48
单位备注
民
最大
10
1
700
15
300
ms
s
ns
ns
ns
页
J，Q
P，R
注号码： E和G低的输出行为。
注Q ： E和G低和W的高输出行为。
注R：吨
恢复
只适用吨后
商店
就完成了。
五金
商店
周期
25
t
HLHX
HSB （ IN）
24
t
恢复
22
t
商店
HSB （OUT）
高阻抗
26
t
HLBL
高阻抗
23
t
延迟
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
数据有效
1999年7月
3-25
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