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半导体

STK1820F

先进的功率MOSFET

DC- DC转换器应用

高电压开关应用

特点

高压： BV

DSS

=200V(Min.)

低C

RSS

: C

RSS

=22pF(Typ.)

低栅极电荷：的Qg = 30nC （典型值）

低R

DS （ ON）

=0.17(Max.)

型号

STK1820F

记号

STK1820

封装代码

TO-220F-3L

订购信息

外形尺寸

单位：

9.80~10.20

Φ3.05~3.35

2.60~3.00

15.40~15.80

12.20~12.60

9.10~9.30

1.07分钟。

0.90最大。

0.60最大。

2.54 TYP 。

0.60最大。

3.46典型。

4.70最大。

2.70最大。

引脚连接

1.门

2.漏

3.源

KSD-T0O011-000

STK1820F

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

(Tc=25°C)

符号

DSS

GSS

(Tc=25℃)

(Tc=100℃)

②

①

英镑

等级

200

±30

8.6

396

13.9

150

-55~150

单位

°C

漏极功耗

雪崩电流（单人）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流（重复）

重复性雪崩能量

结温

存储温度范围

*受最高结温

特征

热

阻力

结案件

结到环境

符号

日（J -C ）

号（j -a）的

典型值。

最大

4.16

62.5

单位

℃/W

KSD-T0O011-000

STK1820F

电气特性

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

④

(Tc=25°C)

符号

DSS

GS （ TH）

DSS

GSS

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

= 250μA ，V

= V

=200V, V

=0V

=0V, V

=±30V

= 10V ，我

=9A

= 40V ，我

=9A

=0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

分钟。

200

2.0

典型值。

0.14

8.5

840

150

4.8

11.5

马克斯。

4.0

±100

0.17

1260

225

102

7.2

17.3

单位

= 100V ，我

=18A

=25

③

④

=100V, V

=10V

=18A

③

④

源极 - 漏极二极管额定值和特性

特征

连续源电流

源电流（脉冲）

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

①

④

(Tc=25°C)

符号

测试条件

积分反向二极管

在MOSFET

= 0V时，我

=18A

= 18A ，V

=0V

/dt=100A/us

民

典型值

253

2.63

最大

1.4

单位

注意;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

L = 2.0mH ，我

= 18A ，V

= 50V ，R

=25

③

脉冲测试：脉冲宽度\u003c 300US ，职务cycle≤ 2 ％

④

基本上是独立工作温度

KSD-T0O011-000

STK1820F

电气特性曲线

图。 1 I

- V

图。 2我

- V

图。 3 R

DS （ ON）

- I

℃

图。 4我

- V

图。 5电容 - V

图。 6 V

- Q

℃

KSD-T0O011-000

STK1820F

图。 7 V

DSS

- T

图。 8 R

DS （ ON）

- T

图。 9

- T

图。 10安全工作区

KSD-T0O011-000

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