32K ×8自动存储的nvSRAM具有实时时钟
特点
结合的nvSRAM采用集成的实时
时钟功能（ RTC ，看门狗定时器，时钟
接警后，电源监视器）
电容或电池备份RTC
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软
洁具控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业和工业温度
48引脚300mil的SSOP封装（ RoHS-
兼容）
STK17T88
描述
该SIMTEK STK17T88结合256KB的非vola-
瓷砖静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的实时
时钟在一个可靠的，单片集成电路。
在256Kbit的nvSRAM是一个快速静态RAM与
非易失性的量子阱存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。数据会自动转移到
当功率损耗是非易失性存储单元
检测时（
商店
操作）。上电时，数据
自动恢复到SRAM中（中
召回
操作）。无论STORE和RECALL操作
也是在软件控制下使用。
实时时钟功能提供了一个准确的
与闰年的跟踪和一个可编程的时钟，
高精度振荡器。报警功能是亲
可编程一次性报警或定期分钟，
数小时或数天的报警。还有一个可编程
BLE看门狗定时器的处理器控制。
框图
量子阱
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
A
13
– A
0
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
RTC
X
1
X
2
INT
A
14
– A
0
G
E
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
MUX
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0024版本2.0
2008年1月
STK17T88
销刀豆网络gurations
V
帽
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
X
1
X
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
HSB
W
A
13
A
6
A
9
NC
A
11
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
（ TOP）
有关详细的封装尺寸
规格，请参见第27页。
48引脚SSOP
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入选择的阵列的nvSRAM或32,768字节的时钟16字节一一
寄存器映射
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM和RTC
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据被写入到选定的地址位置
E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹高
导致DQ引脚三态。
水晶连接，驱动晶体在启动时
水晶连接的32.768 kHz晶振
电容提供备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCbat
时）
电池供电备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCcap
时）
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低外部的
芯片，它将启动一个非易失性存储操作。弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接。
（连接可选） 。
中断控制：可以通过编程来对时钟闹钟，看门狗定时器和电源监控器响应。
可编程为高电平（推/拉）或低电平有效（漏极开路）
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM功耗存储的数据从SRAM到非易失性stor-期间
年龄因素。
地
未标记引脚没有内部连接。
INT
V
帽
V
SS
（空）
产量
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0024版本2.0
2008年1月
2
SSOP
NC
STK17T88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
50
70
55
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
自动存储在当前
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
57
– 40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
57
V
°C
V
μF
K
岁月
3.0V +20%, -10%
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10 μA的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
注： INT引脚为开漏，不供应或吸收大电流时中断寄存器的位D3低。
文件控制＃ ML0024版本2.0
2008年1月
3
STK17T88
AC测试条件
框图
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
产量
789欧姆
577欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1. AC输出负载
图2. AC输出负载为三态规格
(T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0024版本2.0
2008年1月
4
32K ×8自动存储的nvSRAM
特点
结合的nvSRAM采用集成的实时
时钟功能（ RTC ，看门狗定时器，时钟
接警后，电源监视器）
电容或电池备份RTC
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软
洁具控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业和工业温度
体积小SSOP封装（符合RoHS并发症
蚂蚁）
STK17T88
描述
该SIMTEK STK17T88结合256KB的非vola-
瓷砖静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的实时
时钟在一个可靠的，单片集成电路。
在256Kbit的nvSRAM是一个快速静态RAM与
非易失性的量子阱存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。数据会自动转移到
当功率损耗是非易失性存储单元
检测时（
商店
操作）。上电时，数据
自动恢复到SRAM中（中
召回
操作）。无论STORE和RECALL操作
也是在软件控制下使用。
实时时钟功能提供了一个准确的
与闰年的跟踪和一个可编程的时钟，
高精度振荡器。报警功能是亲
可编程一次性报警或定期分钟，
数小时或数天的报警。还有一个可编程
BLE看门狗定时器的处理器控制。
框图
量子阱
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
A
13
– A
0
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
RTC
X
1
X
2
INT
A
14
– A
0
G
E
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
MUX
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0024版本1.7
2007年3月
STK17T88
销刀豆网络gurations
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
HSB
W
A
13
A
6
A
9
A
11
V
SS
V
RTCbat
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
X
1
X
2
V
SS
V
RTCcap
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
有关详细的封装尺寸
规格，请参阅第25页。
48引脚SSOP
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入选择的阵列的nvSRAM或32,768字节的时钟16字节一一
寄存器映射
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM和RTC
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据被写入到选定的地址位置
E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹高
导致DQ引脚三态。
水晶连接，驱动晶体在启动时
水晶连接的32.768 kHz晶振
电容提供备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCbat
时）
电池供电备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCcap
时）
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低外部的
芯片，它将启动一个非易失性存储操作。弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接。
（连接可选） 。
中断控制：可以通过编程来对时钟闹钟，看门狗定时器和电源监控器响应。
可编程为高电平（推/拉）或低电平有效（漏极开路）
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM功耗存储的数据从SRAM到非易失性stor-期间
年龄因素。
地
未标记引脚没有内部连接。
INT
V
帽
V
SS
（空）
产量
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0024版本1.7
2007年3月
2
STK17T88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
在http://www.simtek.com封装热特性，请参见网站
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
50
70
55
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
自动存储在当前
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
3
3
mA
I
SB
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
57
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
57
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
=-10
μA
对于V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
注： INT引脚为开漏，不供应或吸收大电流时中断寄存器的位D3低。
文件控制＃ ML0024版本1.7
2007年3月
3
STK17T88
AC测试条件
框图
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
产量
789欧姆
577欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1. AC输出负载
图2. AC输出负载为三态规格
(T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0024版本1.7
2007年3月
4
STK17T88
32K ×8自动存储的nvSRAM与
实时时钟
特点
■
描述
赛普拉斯STK17T88集成了256KB的非易失性静态
RAM（的nvSRAM ）配有一个全功能的实时时钟在一个可靠的，
单片集成电路。
256 KB的nvSRAM是一个快速静态RAM与非易失性
量子阱的存储元件包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问时间和周期时间，使用方便
和无限的读写正常SRAM的耐力。数据
自动转移到非易失性存储单元时
检测到的功率损耗（在
商店
操作）。上电时，
数据会自动恢复到SRAM （中
召回
操作）。无论STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
实时时钟功能提供了跨越准确的时钟
一年的跟踪和一个可编程的，高精度的振荡器。该
报警功能是可编程的一次性报警或定期
分钟，小时或天的报警。还有一个可编程
看门狗定时器的处理器控制。
的nvSRAM加上集成的实时时钟
功能（ RTC ，看门狗定时器，时钟闹钟，电源
监视器）
电容或电池备份RTC
25日， 45纳秒读取和访问R / W周期时间
无限的读/写耐用性
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商用和工业温度
48引脚300mil的SSOP封装（符合RoHS标准）
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
V
CC
量子阱
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
商店/
召回
控制
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
动力
控制
HSB
软件
检测
A
13
– A
0
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
RTC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
MUX
X
1
X
2
INT
A
14
– A
0
G
E
W
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-52040修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年3月17日
[+ ]反馈
STK17T88
销刀豆网络gurations
图1. 48引脚SSOP
V
帽
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
X
1
X
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
NC
HSB
W
A
13
A
6
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
相对的PCB面积使用
[1]
（ TOP）
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
V
CC
HSB
IO类型
输入
I / O
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
电源
I / O
描述
地址：
15个地址输入中选择一个的数组的nvSRAM中的32,768字节或16个字节1
在时钟寄存器映射。
数据：
双向的8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM和RTC 。
CHIP ENABLE ：
主动低辐射输入选择器。
写使能：
有源低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址位置
对大肠杆菌的下降沿选
OUTPUT ENABLE ：
有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
水晶连接，驱动器在启动时结晶。
水晶连接的32.768 kHz晶振。
电容提供备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCbat
时） 。
电池供电备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCcap
时） 。
电源：
3.0V, +20%, -10%
五金店忙：
当这种低输出指示存储过程中。当拉低
外部的芯片时，它启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻保持这种
引脚为高电平，如果没有连接。 （连接可选） 。
中断控制：
可以通过编程的时钟闹钟，看门狗定时器和响应
电源监视器。可编程为高电平（推/拉）或低电平有效（漏极开路）
自动存储电容：
提供电源的nvSRAM在断电时存储在SRAM数据
到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
INT
V
帽
V
SS
NC
产量
电源
电源
无连接
记
1.详细的封装尺寸规格，请参阅
包图
第21页。
文件编号： 001-52040修订版**
第22页2
[+ ]反馈
STK17T88
绝对最大额定值
在输入相对地电压.................- 0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
...........- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB ......................- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
偏压下...............................温度-55°C至125°C
结温................................... -55 ° C至140℃
存储温度.................................... -65℃ 150℃
功耗................................................ ............. 1W
直流输出电流（ 1输出的时间， 1秒持续时间） .... 15毫安
注意：
应力大于“绝对在列
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在上述这些条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm ]
DC特性
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
符号
I
CC1
参数
平均V
CC
当前
广告
民
最大
65
50
产业
民
最大
70
55
单位
mA
mA
笔记
t
AVAV
= 25纳秒
t
AVAV
- 45纳秒
依赖于输出负载和循环率。
无输出负载得到的值。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和循环率。
无输出负载得到的值。
所有的输入无关
对于存储周期中的平均电流
(t
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性循环后待机电流水平
完整
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
CC2
平均V
CC
当前
中
商店
平均V
CC
当前
在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
平均V
帽
目前在
自动存储周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定
CMOS电平）
输入漏
当前
断态输出
漏电流
输入逻辑“1”
电压
输入逻辑“0”
电压
2.0
V
SS
–0.5
3
3
mA
I
CC3
10
10
mA
I
CC4
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
±1
±1
A
I
OLK
V
IH
V
IL
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
2.0
V
SS
–0.5
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
A
V
V
注： HSB引脚有我
OUT
= -10uA为V
OH
2.4V的，这个参数的特点，但未经测试。
注： INT是开漏，不供应或吸收大电流时中断寄存器的位D3如下。
文件编号： 001-52040修订版**
第22页3
[+ ]反馈
STK17T88
DC特性
（续）
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
符号
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
参数
输出逻辑“1”
电压
输出逻辑“0”
电压
工作Temper-
ATURE
工作电压
存储容量
非易失性商店
操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
广告
民
2.4
0.4
70
3.6
57
–40
2.7
17
200
20
最大
产业
民
2.4
0.4
85
3.6
57
最大
单位
V
V
°C
V
F
K
多年来，在55°C
3.0V +20%, -10%
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
笔记
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
输入上升和下降时间
...................................................≤
5ns
输入和输出时序参考电平1.5V ....................
输出负载..................................见
图2
和
科幻gure 3
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
[2]
输入电容
输出电容
最大
7
7
单位
pF
pF
V
= 0到3V
V
= 0到3V
条件
图2. AC输出负载
对于三态功能图3. AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
,
t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
记
2.这些参数是保证，但未经测试。
文件编号： 001-52040修订版**
第22页4
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
