STK15C88
32K ×8
自动存储
NVSRAM
高性能CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代32K x 8静态RAM ，电池
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
存储到EEPROM发起的软件或
自动存储
在掉电
召回以SRAM通过软件或电源恢复
= 15毫安我
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和调用循环
百万存储周期为EEPROM
100年的数据保存在整个工业
温度范围
商业和工业温度范围
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
描述
该SIMTEK STK15C88是一个快速静态RAM与
非易失性，电可擦除PROM元件
在每个静态存储单元中。该SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的，非易失性的数据驻留在
EEPROM 。从SRAM的数据传输
EEPROM （中
商店
操作）可能发生
在自动关闭电源使用充电存储
系统容量。从EEPROM到转移
在SRAM （中
召回
操作）发生自动
matically在恢复供电。的开始
STORE和RECALL周期也可以控制
通过对SRAM的输入端输入的控制序列。
框图
EEPROM阵列
256 x 1024
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
VCC
A
6
A
5
A
4
A
3
商店
静态RAM
ARRAY
256 x 1024
召回
商店/
召回
控制
动力
控制
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
软件
检测
输入缓冲器
A
0
A
13
列I / O
COLUMN DEC
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
28 - 300 SOIC
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
10
A
0
- A
14
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
G
W
DQ
0
- DQ
7
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1998年8月
5-35
STK15C88
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：
应力大于绝对MAX-在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个只强调等级，功能及操作
该装置在上述的那些条件，在所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均电流
最大
95
75
65
6
15
4
29
24
20
3
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
-40
0.4
85
民
最大
100
80
70
7
15
4
30
25
21
3
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均电流时存储
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
在平均电流
自动存储
周期
平均电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
SRAM读周期＃ 1 & SRAM读取
+ .5
V
IH
输入逻辑“ 1 ”电压
2.2
V
CC
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
V
SS
– .5
2.4
0.8
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
5.0V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出定时的基准等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
255欧姆
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
1998年8月
5-36
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
3
5
10
0
25
25
10
3
5
民
最大
25
35
民
STK15C88-25
STK15C88
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
STK15C88-35
最大
35
45
35
15
3
5
13
0
13
0
35
45
15
15
45
20
STK15C88-45
单位
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E， G， < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压
SRAM读周期＃ 1 （地址控制）
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （数据输出）
SRAM读周期＃ 2 （ E受控）
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
t
GLQX
DQ （数据输出）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
活跃
1998年8月
5-37
STK15C88
32K ×8
自动存储
NVSRAM
高性能CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代32K x 8静态RAM ，电池
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
存储到EEPROM发起的软件或
自动存储
在掉电
召回以SRAM通过软件或电源恢复
= 15毫安我
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和调用循环
百万存储周期为EEPROM
100年的数据保存在整个工业
温度范围
商业和工业温度范围
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
描述
该SIMTEK STK15C88是一个快速静态RAM与
非易失性，电可擦除PROM元件
在每个静态存储单元中。该SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的，非易失性的数据驻留在
EEPROM 。从SRAM的数据传输
EEPROM （中
商店
操作）可能发生
在自动关闭电源使用充电存储
系统容量。从EEPROM到转移
在SRAM （中
召回
操作）发生自动
matically在恢复供电。的开始
STORE和RECALL周期也可以控制
通过对SRAM的输入端输入的控制序列。
框图
EEPROM阵列
256 x 1024
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
VCC
A
6
A
5
A
4
A
3
商店
静态RAM
ARRAY
256 x 1024
召回
商店/
召回
控制
动力
控制
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
软件
检测
输入缓冲器
A
0
A
13
列I / O
COLUMN DEC
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
28 - 300 SOIC
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
10
A
0
- A
14
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
G
W
DQ
0
- DQ
7
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1998年8月
5-35
STK15C88
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：
应力大于绝对MAX-在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个只强调等级，功能及操作
该装置在上述的那些条件，在所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均电流
最大
95
75
65
6
15
4
29
24
20
3
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
-40
0.4
85
民
最大
100
80
70
7
15
4
30
25
21
3
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均电流时存储
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
在平均电流
自动存储
周期
平均电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
SRAM读周期＃ 1 & SRAM读取
+ .5
V
IH
输入逻辑“ 1 ”电压
2.2
V
CC
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
V
SS
– .5
2.4
0.8
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
5.0V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出定时的基准等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
255欧姆
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
1998年8月
5-36
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
3
5
10
0
25
25
10
3
5
民
最大
25
35
民
STK15C88-25
STK15C88
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
STK15C88-35
最大
35
45
35
15
3
5
13
0
13
0
35
45
15
15
45
20
STK15C88-45
单位
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E， G， < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压
SRAM读周期＃ 1 （地址控制）
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （数据输出）
SRAM读周期＃ 2 （ E受控）
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
t
GLQX
DQ （数据输出）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
活跃
1998年8月
5-37
QQ：2881677436 复制
