STK15C68
8K ×8
自动存储
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
过时的 - 不推荐用于新Deisgns
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ，电池 -
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
商店
通过发起非易失性元件
软件或
自动存储
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
周期为非易失性元素
MENTS
100年的数据保存在全部工业
温度范围
从冲无数据丢失
商业和工业温度
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
套餐
描述
该STK15C68是一个快速
SRAM
与非易失性元素
换货每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的非易失性数据驻留在
非易失性元件。从数据传输
SRAM
to
非易失性元素（
商店
操作）可
上电自动进行下使用充电
存储在系统容量。从非转移
挥发性元素的
SRAM
（该
召回
操作）
在电源恢复自动进行。倡
和灰
商店
和
召回
周期同样可以用来
通过对输入的控制序列受控
SRAM
输入。该STK15C68是引脚兼容8K ×8
SRAM
s和电池供电的
SRAM
S，可直接
替换并增强其性能。类似
装置（ STK16C68 ）与内部集成
电容器可用于系统具有非常快的转换
率。该STK12C68 ，它使用一个外部电容
器，是这些应用的替代。
框图
量子阱
128 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
动力
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
12
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
12
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制＃ ML0009修订版0.2
STK15C68
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
b
参数
民
平均V
CC
当前
最大
85
75
65
3
10
2
27
23
20
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
90
75
65
3
10
2
28
24
21
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2
c
I
CC3
b
I
CC4
c
I
SB1
d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
目前在
自动存储
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
SB2
d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
2006年3月
2
文件控制＃ ML0009修订版0.2
STK15C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
g
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
D，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
25
10
5
5
13
0
15
民
最大
25
35
35
15
5
5
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK15C68-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
STK15C68-45
单位
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
2006年3月
3
文件控制＃ ML0009修订版0.2
STK15C68
8K ×8
自动存储
NVSRAM
高性能CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ，电池
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
存储到EEPROM发起的软件或
自动存储
在掉电
召回以SRAM通过软件或电源恢复
= 15毫安我
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和调用循环
百万存储周期为EEPROM
100年的数据保存在整个工业
温度范围
商业和工业温度范围
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
描述
该STK15C68是一个快速的SRAM与非易失性
在每个静态存储器EEPROM纳入元素
细胞。 SRAM中可以读出和写入一个无限
次数，而独立的，非易失性数据
驻留在EEPROM中。从SRAM数据传输
EEPROM （中
商店
操作）可以进行自动
matically在断电时使用的电荷存储系统
电容。从EEPROM到SRAM转移
（该
召回
操作），自动进行对水库
toration力量。 STORE和RECALL的开始
循环也可以通过输入控制来控制
序列上的SRAM的投入。该NVSRAM可
代替现有的8K ×8的SRAM的使用，也匹配
为8K ×8电池供电的SRAM的引脚， EPROM中，
和EEPROM的，可直接替换并enhanc-
荷兰国际集团的表现。目前在读的数量没有限制
或写可以执行周期和不支持税务局局长
关，是必需的微处理器接口。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
动力
控制
召回
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
12
DQ
1
DQ
2
V
SS
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
A
0
- A
12
W
DQ
0
- DQ
7
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
E
W
E
G
V
CC
V
SS
4-61
STK15C68
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：
应力大于绝对MAX-在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个只强调等级，功能及操作
该装置在上述的那些条件，在所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均电流
最大
85
80
75
6
15
4
35
32
28
3
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
-40
0.4
85
民
最大
95
85
80
7
15
4
39
35
32
3
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均电流时存储
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
在平均电流
自动存储
周期
平均电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
SRAM读周期＃ 1 & SRAM读取
+ .5
V
IH
输入逻辑“ 1 ”电压
2.2
V
CC
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
V
SS
– .5
2.4
0.8
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
5.0V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出定时的基准等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
255欧姆
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
4-62
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
3
5
10
0
25
25
10
3
5
民
最大
25
35
民
STK15C68-25
STK15C68
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
最大
35
45
35
20
3
5
17
0
17
0
35
45
20
20
45
25
STK15C68-45
单位
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E， G， < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压
SRAM读周期＃ 1 （地址控制）
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （数据输出）
SRAM读周期＃ 2 （ E受控）
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
t
GLQX
DQ （数据输出）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
活跃
4-63
STK15C68
8K ×8
自动存储
NVSRAM
高性能CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ，电池
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
存储到EEPROM发起的软件或
自动存储
在掉电
召回以SRAM通过软件或电源恢复
= 15毫安我
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和调用循环
百万存储周期为EEPROM
100年的数据保存在整个工业
温度范围
商业和工业温度范围
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
描述
该STK15C68是一个快速的SRAM与非易失性
在每个静态存储器EEPROM纳入元素
细胞。 SRAM中可以读出和写入一个无限
次数，而独立的，非易失性数据
驻留在EEPROM中。从SRAM数据传输
EEPROM （中
商店
操作）可以进行自动
matically在断电时使用的电荷存储系统
电容。从EEPROM到SRAM转移
（该
召回
操作），自动进行对水库
toration力量。 STORE和RECALL的开始
循环也可以通过输入控制来控制
序列上的SRAM的投入。该NVSRAM可
代替现有的8K ×8的SRAM的使用，也匹配
为8K ×8电池供电的SRAM的引脚， EPROM中，
和EEPROM的，可直接替换并enhanc-
荷兰国际集团的表现。目前在读的数量没有限制
或写可以执行周期和不支持税务局局长
关，是必需的微处理器接口。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
动力
控制
召回
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
12
DQ
1
DQ
2
V
SS
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
A
0
- A
12
W
DQ
0
- DQ
7
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
E
W
E
G
V
CC
V
SS
4-61
STK15C68
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：
应力大于绝对MAX-在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个只强调等级，功能及操作
该装置在上述的那些条件，在所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均电流
最大
85
80
75
6
15
4
35
32
28
3
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
-40
0.4
85
民
最大
95
85
80
7
15
4
39
35
32
3
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均电流时存储
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
在平均电流
自动存储
周期
平均电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
SRAM读周期＃ 1 & SRAM读取
+ .5
V
IH
输入逻辑“ 1 ”电压
2.2
V
CC
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
V
SS
– .5
2.4
0.8
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
5.0V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出定时的基准等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
255欧姆
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
4-62
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
3
5
10
0
25
25
10
3
5
民
最大
25
35
民
STK15C68-25
STK15C68
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
最大
35
45
35
20
3
5
17
0
17
0
35
45
20
20
45
25
STK15C68-45
单位
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E， G， < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压
SRAM读周期＃ 1 （地址控制）
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （数据输出）
SRAM读周期＃ 2 （ E受控）
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
t
GLQX
DQ （数据输出）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
活跃
4-63
QQ：2881677436 复制
